新型高K栅介质ZrO2薄膜材料的制备及表征

采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.     

单片机中断多优先级的软件扩展方法

为了解决MCS-51系列单片机只能由IP寄存器设定两级优先级的问题 ,文中给出了利用软件对中断优先级进行扩展的方法 ,同时给出了高于两个优先级的多优先级软件扩展程序。     

利用AutoCAD编制电气CAD

介绍如何利用AutoCAD开发适合电气专业使用的CAD系统，通过编制电气CAD的功能菜单，构造电气元件库，增强CAD的专业性能。编制电气CAD可以有效地统一本单位电气制图标准，方便电气工程师使用CAD进行专业设计。     

一种CMOS静态双沿顺序脉冲发生器的设计

提出一种基于CMOS技术的静态双沿顺序脉冲发生器结构。他是由以基于CMOS二选一选择器的电平型触发器构成的记忆单元和一个与门阵列组成的转译单元构成的。与门阵列的转译单元使顺序脉冲发生器在时钟上升沿和下降沿处均能输出移位脉冲,从而形成双沿触发的功能。仿真验证其功能正确,且根据分析该结构不仅能够节省芯片面积,还可以大大减小芯片的功耗。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

单片机控制下液晶显示器的使用

介绍液晶显示器EDM12864B的原理及其在单片机控制下的简单应用。     

光电平台无角位移减振机构运动分析

分析了光电平台的工作环境和角振动对成像质量的影响，应用空间机构学原理和减振理论，设计了一种既具减振功能又能抑制角位移的无角位移减振机构。对减振机构的减振机理及运动特性进行了分析，并利用三维建模软件和MSC．Visual Nastran 4D仿真分析软件对该减振机构进行了三雏实体仿真分析，通过输出的仿真数据及曲线检验无角位移减振原理的正确性。     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

遗传算法在GSM移动通信网络频率规划中的应用

应用遗传算法设计和开发了针对爱立信GSM900系统的频率规划软件。在设计中，采用了交叉点存储、变异回退以及分割分步降维的方法，从而提高遗传算法的执行速度。     

运行电站爆破震动控制研究

结合大渡河龚咀水电站下游河床整治爆破开挖拓宽，重点研究了爆破震动对运行电站机组及其仪表的影响，探讨了爆破震动安全判据和控制标准，用了若干实际工程采用的经验指标进行对比分析，所得结论意见可供同类工程作为爆震安全控制参考。