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41.
用扫描电镜、金相显微镜观察分析了80钢盘条拉拔断裂的断口,并对盘条进行了理化检验分析。结果表明,盘条组织中较多的网状二次渗碳体是盘条在拉拔过程中脆断的主要原因。 相似文献
42.
热力系统节能技术改造方案介绍 总被引:3,自引:0,他引:3
针对热电厂热力系统存在的浪费能源和设计不合理现象作了浅析 ,介绍了几种对热力系统进行改造的方案 ,并对取得的经济效益进行了计算。 相似文献
43.
44.
某市清水海引水工程拟在天然湖泊清水海的湖口(出溢口)建坝,扩大湖泊容量,以形成调蓄枢纽,可行性研究论证的坝高规模为12.5 m,湖水位高程2 180 m,最大蓄水深度约40 m,湖水容量14 878×104m3. 相似文献
45.
46.
47.
48.
基于非确定性思考下的城市规划新思维探讨 总被引:2,自引:2,他引:0
通过对城市规划编制与实施过程中的问题分析,提出非确定性城市规划思想的理念以及非确定性规划思想与确定性规划思想的差别,并在分析非确定性规划思想内涵的基础上,提出非确定性规划思想指导下的城市规划的新程式。 相似文献
49.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
50.