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图纸数据是企业间合作需交换的一种重要的信息。本文分析了虚拟企业环境下企业之间交换图纸数据的要求,提出了一种具体的解决方案,并给出实例。 相似文献
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聚碳硅烷的分子量分布与可纺性研究 总被引:6,自引:1,他引:5
阐述了聚碳烷的合成及其分子量分布,讨论了高低分子含量对聚碳硅烷熔点及可纺性的影响,而且提出了分子量分布的控制标准与方法。 相似文献
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One requirement in designing and operating and operating system is to minimize the moisture change in stored grain. Moisture transfer during the aeration process is generally believed to be caused by the partial pressure difference between water in grain and water in air (P3-P4). A mathematical model was developed for rough rice, which predicts the partial pressure difference under various grain and ambient conditions. Observations of moisture change over 10 aeration tests confirmed the good correlation between sorption phenomena and partial pressure differences. Studies indicated that air relative humidity, air temperature, grain temperature and grain moisture are significant factors influencing the partial pressure differences and, thus, affecting 相似文献
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有机发光器件(OLED)具有固体平板化的优点,用OLED制做平板显示器不仅重量轻和功耗低,而且能实现低成本的彩色大屏幕显示。本文从有机发光器件的原理出发,阐述了有机发光器件平板显示器的三色象元的一些实现方案和目前的发展状况,并对它们的基本结构及技术特点进行了比较。 相似文献
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通过引入归一化脉宽P和相对脉冲展宽因子q,提出了一个适用于IM/DD系统中各种眼图恶化量x和归一化脉宽P的色散限制改进公式。通过与其它理论的比较、计算机仿真和对实验数据的分析,验证了该公式的正确性,并给出了其它结果的限制条件。研究表明:当眼图恶化量x为1dB左右时,对2.5Gb/;外调制信号(α=0)而言,非色散位移光纤IM/DD系统的色散因子γ约等于0.79,所对应的系统再生中继距离约为900余公里。 相似文献
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2003年夏天,广州大学城广州外语外贸大学一期项目的单体设计在相当短的设计周期中紧张地铺开。 相似文献
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McIntyre H. Wendell D. Lin K.J. Kaushik P. Seshadri S. Wang A. Sundararaman V. Ping Wang Song Kim Hsu W.-J. Hee-Choul Park Levinsky G. Jiejun Lu Chirania M. Heald R. Lazar P. Dharmasena S. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2005,40(1):52-59
A 4-MB L2 data cache was implemented for a 64-bit 1.6-GHz SPARC(r) RISC microprocessor. Static sense amplifiers were used in the SRAM arrays and for global data repeaters, resulting in robust and flexible timing operation. Elimination of the global clock grid over the SRAM array saves power, enabled by combining the clock information with array select signals. Redundancy was implemented flexibly, with shift circuits outside the main data array for area efficiency. The chip integrates 315 million transistors and uses an 8-metal-layer 90-nm CMOS process. 相似文献
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石膏矿床冲击地压灾害形成原因及其防范 总被引:2,自引:0,他引:2
以往认为金属矿山开采深度超过500m、煤矿山开采深度超过200m时,应关注冲击地压问题。通过对石膏矿床冲击地压的灾害调查,表明石膏矿开采深度在150m以内都存在冲击地压、冒顶等事故隐患。根据调查情况,分析了冲击地压形成的地理条件及造成冲击压灾害的有关开采技术与管理等因素,并介绍了灾害的预测与预防措施。 相似文献