高标清文件化播出系统评述与研究

依照陕西电视台节目单驱动下的高标清文件化播出系统为蓝本,着重评述了此系统设计架构、思路方面的超前意识,同时也不回避存在的失误.通过优与略的论述,不但在理论上寻找到了有力的支撑,而且在实践中也得到了对这种理论方法的验证,取得了经验.在工作中克服缺点旨在让系统设计、工程实践更加优化.同时让同行们从中汲取有益的东西或前车之鉴.     

运营商大数据平台的敏感信息保护研究

探讨了运营商大数据平台的敏感信息范围,给出了敏感信息保护的方法步骤,总结了该研究领域内的关键技术及每类技术的主流技术方法,并针对实际的运营商大数据平台的分层架构,设计了不同敏感信息保护技术的技术实现方案.     

混合色噪声下：可消除谱估计伪峰的多正弦信号率估计互谱奇异值分解方法

本文依据对正弦谐波信号的扩阶互相关函数矩阵的特征分析,提出消除扩阶方程产生的谱估计伪峰的理论及方法,仿真结果表明本文所提出的互谱异值－整体最不二乘法（SVD－LS）可完全消除谱估计伪峰,从而提高了谱分辨率及噪声抑制能力。     

基于低折射率人工电磁材料高方向性阵列天线

讨论了一种低折射率人工电磁材料应用于天线阵设计,在口径面积相同的情况下,获得了比传统天线阵更高的方向性。这种阵列天线有如下一些特征:阵元数量显著减少,阵元间距远大于一个波长,馈电网络简单。人工电磁材料由两层周期性的正方形金属网格构成,置于阵元的上方。结果表明:一个由同轴馈电的2′2 微带贴片集成人工电磁材料覆层构成的阵列天线,具有26dB 以上的高方向性,优于传统天线。相同口径面积的情况下,一个4′4 阵元集成人工电磁材料覆层的天线阵结构,其增益与一个传统的16′16 阵元的天线阵结构相当。前者显而易见地具有更简单的馈电网络和较高的天线口径效率。本文提出的天线阵,在高增益天线系统中具有较高的应用价值。     

基于 Evans-Johnson流变模型黏塑性流体弹流润滑的雷诺方程

分析了弹流润滑中润滑剂滑移的条件,指出了弹流润滑区域内可能存在6种润滑子区,首次基于Evans-Johnson流变模型为每个子区推得了雷诺方程.     

LTE-A系统一种降低复杂度的软球形检测算法

软球形译码算法虽然能接近ML(最大似然)算法的误码性能,但其计算复杂度很高。文章提出了一种降低计算复杂度的SSD(软球形译码)算法,该算法在QR(正交三角)分解算法的反向迭代上三角矩阵R中引入减弱噪声部分以缩小初始搜索半径,然后利用最小距离准则对搜索树进行有效地删减,缩小树搜索空间。MATLAB仿真结果表明,该算法在获得接近传统SSD性能的条件下,能够很大程度地降低系统的计算复杂度。     

基于TDLAS的长光程环境大气痕量CO监测方法研究

CO作为大气中重要的污染物和煤矿、油田等环境的危险气体,CO浓度的实时监测对生产生活安全具有重要意义。筛选出CO位于2334 nm附近的R(6)吸收谱线,搭建了基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的长光程开放光路大气CO监测系统。采用直接吸收技术,吸收光程为700 m,借助离轴抛物面镜实现了收发同光路;低功耗、小型化的测量控制系统,在单块电路板上实现了激光器驱动、光谱信号处理等功能,单板体积为120 mm×100 mm×25 mm,功耗小于5 W。上位机对光谱数据进行多峰拟合处理,分离出CO和CH4的吸收光谱,反演CO浓度。通过分析光谱数据标准差可知,在1 s响应时间下的检测限为0.06×10-6。对大气中的CO浓度进行了连续监测,测量结果和CO点式分析仪结果一致性良好,验证了该系统仪器化的可行性。     

化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜，研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响．增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS，反之则易于生成六方晶CdS．无论立方相还是六方相CdS薄膜，电阻率均在10~4～10~5Ω·cm范围，结晶均匀细致．用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%．     

Effective improvement of high-k Hf-silicate/silicon interface with thermal nitridation

The electrical properties of polysilicon gate MOS capacitors with hafnium silicate (HfSiO) dielectric, with and without NH/sub 3/ nitridation, were investigated. The results show that with NH/sub 3/ nitridation prior to deposition of HfSiO can effectively tune the flatband voltage close to that of conventional oxide and significantly improve the leakage properties over SiO/sub 2/ (three orders reduction). Furthermore, the excellent interface quality has been evidenced by the result of immunity against soft breakdown with NH/sub 3/ nitridation.     

中性原子的磁囚禁技术及其最新发展与应用

本文就近二十年来国际上用于三维限制中性原子运动的磁囚禁原理、方案、特点及其最新发展进行了系统介绍与综述。根据构成磁阱的装置大小、磁场特征以及产生磁场方式的不同，可以将囚禁原子的各种磁阱分为宏观静磁囚禁、微观静磁囚禁和微波或交流磁囚禁三大类。最后，文章简单介绍了中性原子磁囚禁技术在玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)和原子芯片中的最新应用。