全文获取类型
收费全文 | 563308篇 |
免费 | 66342篇 |
国内免费 | 46266篇 |
专业分类
电工技术 | 51262篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 62618篇 |
化学工业 | 69215篇 |
金属工艺 | 39174篇 |
机械仪表 | 40902篇 |
建筑科学 | 44035篇 |
矿业工程 | 24452篇 |
能源动力 | 14521篇 |
轻工业 | 60136篇 |
水利工程 | 19494篇 |
石油天然气 | 19780篇 |
武器工业 | 9335篇 |
无线电 | 59063篇 |
一般工业技术 | 45687篇 |
冶金工业 | 21725篇 |
原子能技术 | 9170篇 |
自动化技术 | 85345篇 |
出版年
2024年 | 2732篇 |
2023年 | 8728篇 |
2022年 | 21949篇 |
2021年 | 28132篇 |
2020年 | 20192篇 |
2019年 | 14059篇 |
2018年 | 15079篇 |
2017年 | 17178篇 |
2016年 | 15356篇 |
2015年 | 25017篇 |
2014年 | 32073篇 |
2013年 | 37380篇 |
2012年 | 47861篇 |
2011年 | 49781篇 |
2010年 | 47748篇 |
2009年 | 45214篇 |
2008年 | 46771篇 |
2007年 | 45679篇 |
2006年 | 38789篇 |
2005年 | 31591篇 |
2004年 | 22654篇 |
2003年 | 14839篇 |
2002年 | 13802篇 |
2001年 | 12496篇 |
2000年 | 9877篇 |
1999年 | 3865篇 |
1998年 | 1189篇 |
1997年 | 959篇 |
1996年 | 788篇 |
1995年 | 667篇 |
1994年 | 461篇 |
1993年 | 472篇 |
1992年 | 399篇 |
1991年 | 260篇 |
1990年 | 241篇 |
1989年 | 282篇 |
1988年 | 180篇 |
1987年 | 110篇 |
1986年 | 107篇 |
1985年 | 55篇 |
1984年 | 80篇 |
1983年 | 61篇 |
1982年 | 52篇 |
1981年 | 96篇 |
1980年 | 178篇 |
1979年 | 115篇 |
1965年 | 16篇 |
1964年 | 10篇 |
1959年 | 111篇 |
1951年 | 118篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
991.
褶积与逆褶积技术在核物理测量中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
讨论了褶积与逆褶积技术在核物理测量,主要是波形和能谱测量中的应用。还介绍了褶积与逆褶积的数值计算方法,给出了计算公式。 相似文献
992.
一、前言在核裂变过程中,钼和锆是高产额的裂变产物元素,所以在乏燃料中钼和锆的含量较高。核燃料水法后处理工艺的常用介质是硝酸,因此测定硝酸溶液中钼和锆的溶解度是有意义的。对于裂变产物的过程化学的研究工作,溶解度数据也是必要的。关于硝酸溶液中钼和锆的溶解度,前人研究得很少,数据也不全。为此,我们测定了不同浓度的硝酸中不同温度下钼和锆溶解度;还观测了硝酸根和铀浓度对钼和锆的溶解度的影响;获取的数据较全面。 相似文献
993.
含氚废水水泥固化实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究用水泥固化处理氚废水,并选择了最佳配方:水与灰的重量比=0.45~0.5,水泥与石膏重量比=5∶1。用IAEA推荐的方法做浸出实验。为了减少水泥固化体中氚的浸出量,实验了几种涂层材料。沥青涂层可将固化体氚的浸出率降低1~2个量级。 相似文献
994.
原子高离化态研究装置 总被引:8,自引:0,他引:8
介绍了原子高离化态研究装置,包括重离子加速器、测量装置、数据获取和处理系统。 相似文献
995.
介绍了VLSI版图验证中电阻提取的基本原理和主要方法,给出了一种新颖的基于边界元法的电阻提取算法。该算法采用变节点单元,较好地解决了实际问题中经常出现的角点问题。通过应用该算法对几个实例进行提取,证明使用本文的算法不仅在精度上而且在占用CPU时间上都取得了令人满意的效果 相似文献
996.
1μm宽硅深槽刻蚀技术 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现1μm宽的硅深槽刻蚀工艺途径;并给出了1μm宽、8μm深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。 相似文献
997.
全耗尽CMOS/SOI技术的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
SOI材料技术的成熟,为功耗低,抗干扰能力强,集成度高,速度快的CMOS/SOI器件的研制提供了条件,分析比较了CMOS/SOI器件与体硅器件的差异,介绍了国外薄膜全耗尽SOI技术的发展和北京大学微电子所的研究成果。 相似文献
998.
具有Hammerstein形式的非线性系统广义预测控制 总被引:14,自引:2,他引:12
本文提出了具有Hammerstein形式的非线性系统广义预测控制方法,分析了当控制水平等于1时闭环系统的稳定性,同时还提出了使用线性估计器的非线性自适应广义预测控制算法。仿真结果表明了算法的有效性。 相似文献
999.
Yuan Jie Lua Wing Kam Liu Ted Belytschko 《International journal for numerical methods in engineering》1993,36(22):3841-3858
In this paper, the stochastic boundary element method, which combines the mixed boundary integral equations method explored in Reference 1 with the first-order reliability method, is developed to study probabilistic fatigue crack growth. Due to the high degree of complexity and non-linearity of the response, direct differentiation coupied with the response-surface method is employed to determine the response gradient. Three random processes, the mode I and mode II. stress intensity factors and the crack direction angle, are included in the expression of the response gradient. The sensitivity of these random processes is determined using a first-order response model. An iteration scheme based on the HL-RF method2 is applied to locate the most probable failure point on the limit-state surface. The accuracy and efficiency of the stochastic boundary element method are evaluated by comparing the cumulative distribution function of the fatigue life obtained with Monte Carlo simulation. The reliability index and the corresponding probability of failure are calculated for a fatigue crack growth problem with randomness in the crack geometry, defect geometry, fatigue parameters and external loads. The response sensitivity of each primary random variable at the design point is determined to show its role in the fatigue failure. The variation of each primary random variable at the design point with the change of probability of failure is also presented in numerical examples. 相似文献
1000.
The microstructure development of Pd77.5Au6Si16.5 alloy droplet solidified in a drop tube process was studied. It was found that two distinct microstructures, i.e. (Pd,Au)3Si primary phase and Pd+(Pd,Au)3Si eutectic can be obtained when the droplet diameter is within the range between 2.3~0.4 mm. The morpologies of the (Pd,Au)3Si developed from dendrite trunk-like with single branching only into dendrite cluster-like with ternary branching with the decrease of the droplet diameter. When the droplet diameter is about 0.25 mm, the primary phase (Pd,Au)3Si almost disappears and the microstructure mainly shows Pd+(Pd,Au)3Si eutectic. The morphology of the eutectic transforms from fiber-like to plate-like with the decrease of the droplet diameter in the range between 2.3-0.25 mm. When the droplet diameter is about 0.19 mm, the microstructure is only the single phase of Pd solid solution 相似文献