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对汽车动力模型的建立与场景控制的设计做了简单的介绍,描述了在视景仿真系统中如何建立汽车动力模型以及对系统中汽车模型的前进、后退、方向转变、遇到雾和阳光的强弱等场景控制的实现。 相似文献
83.
基于TDLAS的长光程环境大气痕量CO监测方法研究 总被引:2,自引:0,他引:2
CO作为大气中重要的污染物和煤矿、油田等环境的危险气体,CO浓度的实时监测对生产生活安全具有重要意义。筛选出CO位于2334 nm附近的R(6)吸收谱线,搭建了基于可调谐半导体激光吸收光谱技术的长光程开放光路大气CO监测系统。采用直接吸收技术,吸收光程为700 m,借助离轴抛物面镜实现了收发同光路;低功耗、小型化的测量控制系统,在单块电路板上实现了激光器驱动、光谱信号处理等功能,单板体积为120 mm×100 mm×25 mm,功耗小于5 W。上位机对光谱数据进行多峰拟合处理,分离出CO和CH4的吸收光谱,反演CO浓度。通过分析光谱数据标准差可知,在1 s响应时间下的检测限为0.06×10-6。对大气中的CO浓度进行了连续监测,测量结果和CO点式分析仪结果一致性良好,验证了该系统仪器化的可行性。 相似文献
84.
LIGA技术制作Fresnel波带片的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
简要介绍了利用LIGA技术中同步辐射光刻、微电铸技术制作α粒子编码成像波带片的研究,讨论了编码波带片的结构和影响波带片的平面和层析分辨率的参数。根据实验要求设计和研制了一种α粒子编码成像波带片。 相似文献
85.
双轴应变技术被证实是一种能同时提高电子和空穴迁移率的颇有前景的方法;<100>沟道方向能有效地提升空穴迁移率.研究了在双轴应变和<100>沟道方向的共同作用下的空穴迁移率.双轴应变通过外延生长弛豫SiGe缓冲层来引入,其中,弛豫SiGe缓冲层作为外延底板,对淀积在其上的硅帽层形成拉伸应力.沟道方向的改变通过在版图上45°旋转器件来实现.这种旋转使得沟道方向在(001)表面硅片上从<110>晶向变成了<100>晶向.对比同是<110>沟道的应变硅pMOS和体硅pMOS,迁移率增益达到了130%;此外,在相同的应变硅pMOS中,沟道方向从<110>到(100)的改变使空穴迁移率最大值提升了30%.讨论和分析了这种双轴应变和沟道方向改变的共同作用下迁移率增强的机理. 相似文献
86.
建立了一种对称电极组交流电渗流微泵结构,通过改变相邻电极间的AC信号相位,可以方便地实现对微通道流向的控制。根据双电层离子数的空间位阻效应修正,数值求解了双电层Poisson-Boltzmann方程和液体流动Navier-Stokes方程,得到了对称电极组交流电渗微泵的流动特性。分析了微泵流速与交流电压幅值、频率等参数的关系特性,并与双电层Debye-Hückel线性解进行比较。结果表明,空间位阻效应修正在低电压时与Debye-Hückel线性解一致,但是在高电压时会产生高频反向流。 相似文献
87.
在研究了JEDEC制定的DDR2标准的基础上,基于对DDR2快速测试的目的,设计了一种带自测功能的新型DDR2控制器。该控制器既拥有常见的控制时序、刷新、初始化等功能,又可以在没有外部激励的情况下对DDR2进行测试。整个设计完全遵循JEDEC标准,采用自顶向下的设计方法,通过异步FIFO进行跨时钟域的信号通讯,接口部分兼容FPGA的MCB模块,可以实现和MCB的简单替代,最后用verilog语言进行描述并通过仿真验证和FPGA验证.达到了较高的性能和实现了要求的功能。与常见的控制器相比,本设计虽然增加了自测试功能,但综合后的面积只增加10%。 相似文献
88.
89.
The nanocrystal (NC) work-function engineering, which plays an important role on the NC memory characteristics such as memory window and retention time, were long regarded as a matter of choice on NC materials. In this letter, we report opposite polarities of charge storage in Au NC memories with different control oxides. The effective NC work function is found to be not only a bulk property of the NC, but also governed by the interface with surrounding dielectric, as a result of the Fermi-level pinning. By replacing Au NCs with C60 molecules, we also show the pinning effect generally exists at quantum-dot-based devices with high density of interface states. This fundamental interface property should be taken into account in the selection of NC and dielectric materials for the NC memory optimization 相似文献
90.