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非插入式流量检测方法在不破坏系统工作状态的情况下,可对化工生产进行流量测量以及化工管道系统故障诊断、故障定位。该非插入式测量方法利用变形法原理,采用应变测量技术测量重力场下流体对管道作用产生的应变,推导出应变率与质量流量的关系;结合弹性力学和材料力学推导出管壁应变差与质量流量存在典型的线性关系;然后运用Workbench建立仿真模型并通过单向流固耦合的仿真方法,对理论计算进行验证;最后在管路综合特性实验台布置应变片连接到uT7110Y静态应变仪,记录相应数据,根据数据拟合结果说明应变差与质量流量具有很好的线性关系,能够利用该特性进行非插入式质量流量的测量。 相似文献
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为提高渣油的质量,对渣油进行了超声波处理,其输出功率为800W,温度为70°C,间隔为0到11分钟。实验表明,超声波处理7min后,黏度和残炭率分别降低14.1%和7.4%。饱和分含量增加,芳烃、胶质和沥青质含量下降。用FT-IR、1H-NMR等手段对平均分子结构参数进行了表征,而超声处理时间长达7分钟,渣油参数的变化也越来越大。超声波处理产生的机械搅拌和空化作用引起减压渣油分子的一系列变化。微观变化影响了平均分子结构的参数,这通常在SARA分数中显示出来。采用热重法分析了超声波处理后减压渣油热反应特性的变化。随着超声波处理时间的增加,热解所需的表观活化能逐渐降低,温度也随之降低。 相似文献
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Monolithic integration of InGaAsP/InP lasers and heterostructure bipolar transistors by selective area epitaxy 总被引:1,自引:0,他引:1
An X. Temkin H. Feygenson A. Hamm R.A. Cotta M.A. Logan R.A. Coblentz D. Yadvish R.D. 《Electronics letters》1993,29(8):645-646
The authors describe the use of selective area epitaxy to prepare monolithically integrated lasers and heterostructure bipolar transistors based on InGaAsP/InP. Selective growth offers a versatile method of lateral integration of structurally dissimilar devices with the different device structures grown side by side in different growth cycles. Individual devices can be optimised separately without any performance compromise. Bipolar transistors grown on the semi-insulating current blocking layers of the buried heterostructure lasers show high gain, high breakdown voltage and excellent high current stability. Laser threshold is reached at a base current as low as 160 mu A and the light output is linear with current to 10 mW.<> 相似文献
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一种多传感器信息融合点目标识别方法(二) 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种多传感器信息融合识别空间复杂弹道式目标及其伴随诱饵的识别模型。将人工神经网络和确定性理论结合起来,以神经网络的输出代替应用确定性理论所需的有关领域专家的知识和经验,并用确定性理论进行不同空域和时域的信息融合。仿真结果表明,经过融合后,大大改善了识别效果。 相似文献