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121.
122.
研究了红外频段非线性s偏振表面波在反铁磁晶体和电介质交界面上的频率特性,求出了非线性色散方程,揭示了非线性s偏振表面波存在一个临界频率,低于这个频率,非线性s偏振表面波的频率范围,发现功率不再是决定导波频率范围的唯一因素,两种材料的介电常数比在这里起了至关重要的作用。 相似文献
123.
Jun-Fa Mao Zheng-Fan Li 《Microwave Theory and Techniques》1992,40(4):637-644
A new method for analysis of the time response of multiconductor transmission lines with frequency-dependent losses is presented. This method can solve the time response of various kinds of transmission lines with arbitrary terminal networks. Particularly, it can analyze nonuniform lines with frequency-dependent losses, for which no effective method for analyzing their time response exists. This method starts from the frequency-domain telegrapher's equations. After decoupling and inversely Fourier transforming, then a set of decoupled time-domain equations including convolutions are given. These equations can be solved with the characteristic method. The results obtained with this method are stable and accurate. Two examples are given to illustrate the application of this method to various multiconductor transmission lines 相似文献
124.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献
125.
本文描述一种基于8031单片机和TC8830AF语音处理器的PC机智能语音卡,通过软硬件设计解决了PC-8031-TC8830AF结构中的通讯问题。该语音卡在进行语音的合成、编辑和播放时,仅占用极少的PC机CPU处理时间,能满足计算机系统进行实时语音合成的要求。 相似文献
126.
127.
本文在分析了双眼立体视觉面临的本质困难之后,提出了用金字塔图法匹配特征基元的三眼立体视觉方法,这种方法由于建筑在透视投影几何原理的稳固基础上,无须任何先验限制,也不以图象相似性为基础,故可较好地解决精度与匹配难度的矛盾,且运用金字塔图法进行匹配传播使在保证精度的基础上,匹配速度大大提高,对计算机人工图象的匹配结果表明,误匹配率几乎为零,且有较高的匹配速度和精度。 相似文献
128.
PS,LS和煤油体系的界面张力 总被引:3,自引:0,他引:3
本文以石油磺酸盐(PS)、木质素磺酸盐(LS)和煤油体系为对象,研究了PS/LS比、盐度、醇、Na_2SiO_3及聚合物对体系界面张力(IFT)的影响,探讨了PS与各组分间的相互作用,结果发现,在一定盐度和混合醇(正丁醇+异丙醇)浓度下,PS/LS>0.3/0.7时,体系可形成中相微乳液,IFT值达1×10~(-3)mN/m左右;LS和聚合物的存在使IFT升高;在表面活性剂驱油体系中,可用廉价的LS部分代替PS。 相似文献
129.
将薄膜电容真空计的测量室接于被测密闭容器,静态真空室接于一个比较容器,即组成一台压差式漏率测试仪。首先使两容器压力平衡,真空计读数为零。当被测容器存在漏孔时,真空计薄膜两侧形成压差,真空计指示读数,继而计算出该容器的漏率。应用商品真空计在抽真空测试时,检测的最小可测漏率达10-4~10-5Pa·L/s;而在充压测试时,因受气体温度变化的影响,灵敏度会降低几个量级。该仪器有可能具备寻找漏孔位置和确定漏孔漏率的功能。 相似文献
130.
In this paper,a sequential algorithm computing the aww vertex pair distance matrix D and the path matrix Pis given.On a PRAM EREW model with p,1≤p≤n^2,processors,a parallel version of the sequential algorithm is shown.This method can also be used to get a parallel algorithm to compute transitive closure array A^* of an undirected graph.The time complexity of the parallel algorithm is O(n^3/p).If D,P and A^* are known,it is shown that the problems to find all connected components,to compute the diameter of an undirected graph,to determine the center of a directed graph and to search for a directed cycle with the minimum(maximum)length in a directed graph can all be solved in O(n^2/p logp)time. 相似文献