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The advantages of In Ga N/Ga N light emitting diodes(LEDs) with p-Ga N grown under high pressures are studied.It is shown that the high growth pressure could lead to better electronic properties of p-Ga N layers due to the eliminated compensation effect.The contact resistivity of p-Ga N layers are decreased due to the reduced donor-like defects on the p-Ga N surface.The leakage current is also reduced,which may be induced by the better filling of V-defects with p-Ga N layers grown under high pressures.The LED efficiency thus could be enhanced with high pressure grown p-Ga N layers. 相似文献
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研究了掺50%矿渣的水泥-矿渣复合胶凝材料3 a龄期的硬化浆体C-S-H凝胶特性,结果显示:3 a龄期时矿渣反应程度为68.3%,大部分小颗粒矿渣已反应,但许多大颗粒矿渣几乎未反应;长龄期时浆体中Ca(OH)2没有消耗殆尽,从SEM图像中可以发现Ca(OH)2大量存在;水泥-矿渣复合胶凝材料体系3 a龄期的C-S-H凝胶的Ca/Si比、(Al+Mg)/Si比均值分别为1.88和0.60,相较于水泥生成的C-S-H凝胶,水泥-矿渣复合胶凝体系的C-S-H凝胶Ca/Si比较低,且含有大量Al。但Ca/Si比明显高于水泥-粉煤灰复合胶凝材料生成的C-S-H凝胶。 相似文献
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研究了一种基于在锑化铟衬底材料上以热扩散工艺制备平面PN结的红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片结构及其工艺流程。根据锑化铟材料的特性设计了新的焦平面器件制备流程,选择了等离子增强化学气相淀积(PECVD)淀积的非晶氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)薄膜作为扩散工艺中的掩膜材料。在此基础上制备出了具有较好的I-V特性曲线的焦平面芯片。 相似文献
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76.
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本文基于SMIC40nmCMOS工艺,设计了一款输入频率范围25~20MHz,输出频率范围2.4~4GHz的电荷泵锁相环(CPPLL).介绍了电荷泵锁相环的整体电路框架,叙述了各子模块电路的设计、仿真验证与整体电路的设计与仿真验证,重点介绍压控振荡器的设计与仿真优化.版图后仿真结果表明,电荷泵电流失配在直流情况下达到0.3%@0.4-1.3 V;压控振荡器的输出频率范围为0.3~4 GHz、在输出频率1 MHz时相位噪声为-93.4 dB@1MHz、锁定时间为1 μs、绝对抖动为1 ps、典型值时的功耗为30 mW、面积为300×300 μm. 相似文献
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Contourlet变换在可见光与红外图像融合中的应用 总被引:1,自引:1,他引:1
Contourle变换是一种新的图像多尺度,多方向的表示方法,适合表达具有丰富细节信息及方向信息的图像。它的高频方向子带,捕获了许多传感器图像的显著特征。为了实现红外与可见光图像的融合,采用一种基于Contourlet变换的融合算法,对不同的融合规则对低频子带和多方向的高频子带系数进行融合。对比实验结果表明,在此提出的方法可以获得较好的融合效果,优于基于小波变换的图像融合算法。 相似文献
80.