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71.
脉冲直流PCVD技术在盲孔底部沉积Ti-Si-N薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜。用扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD),球痕法(ball-Crater),显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pε)分析不同肓孔深度处薄膜的微观结构和力学性能。结果表明,随着盲孔深度的增加,Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低,薄膜厚度下降,薄膜与基体的结合强度有很大提高,膜基复合显微硬度下降,而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20mm处出现最大值。 相似文献
72.
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN;ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ·cm,退火后降至正常的数个μΩ·cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149MPa. 相似文献
73.
通过在硅油中加恒电场实验,研究了PZT-5H铁电陶瓷Vickers压痕裂纹的扩展行为,探讨了电场、残余应力以及介质间的耦合作用.结果表明,残余应力不足以使压痕裂纹在硅油中发生滞后扩展,只有外加恒电场E>0.2 kV/cm,电场、残余应力和介质的耦合才能使压痕裂纹在经过一个孕育期tp后发生滞后扩展.由于有效应力强度因子随裂纹扩展而下降,故压痕裂纹扩展10-30 μm后就将止裂.压痕裂纹在硅油中滞后扩展的门槛电场强度EDp=0.2 kV/cm.如外加电场大于临界电场Ep=5.25 kV/cm,电场和残余应力的耦合可使压痕裂纹瞬时扩展;保持恒电场,裂纹能继续扩展,然后止裂.如外加电场大于12.6 kV/cm,不需要残余应力协助,电致裂纹也能在光滑试样上形核、长大、连接,导致试样断裂.试样发生电致滞后断裂的门槛电场EDF=12.6 kV/cm,发生瞬时断裂的临界电场EF=19.1 kV/cm. 相似文献
74.
75.
使用纳米压痕法测量了单晶SnO2纳米带的硬度、断裂韧性以及裂纹形核的临界应力。结果表明,当载荷大于临界值后微裂纹就从压痕顶端形核、扩展;与此相应,在载荷一位移曲线上出现位移突变平台,根据平台载荷计算出压痕裂纹形核的临界应力σc=3.4GPa;利用裂纹的长度计算出SnO2纳米带的断裂韧性为0.028—0.066MPa-m^1/2,其平均值为KIc=0.044MPa-rn^1/2,它比其它块体脆性材料的断裂韧性小一个数量级,实验测出SnO2纳米带的硬度H=6.25GPa和弹性模量E=86.7GPa。 相似文献
76.
77.
对LF2铝合金搅拌摩擦焊接头的疲劳特性进行了研究,建立了焊接头的S-N曲线。疲劳试验结果表明,搅拌摩擦焊接头表现出良好的疲劳性能,疲劳寿命N=10^6次的疲劳强度值约为59~65MPa。搅拌摩擦焊接头具有细小的等轴晶粒和狭窄的热影响区,阻碍了滑移带的形成和裂纹的扩展,从而提高了接头的疲劳性能。疲劳断口分析显示,随着驻留滑移带的扩展逐渐萌生裂纹,在交变应力作用下最终导致失效。 相似文献
78.
两种简化的侧凹抽芯机构 总被引:1,自引:0,他引:1
对于制品的内侧凹 ,在采用滑块、斜摆杆等一般抽芯机构较难实现时 ,通过改变抽芯机构的动作和复位形式 ,设计出两种简化的侧凹抽芯机构 ,并且制造方便,缩短了加工周期 ,实践证明该机构可有效地完成抽芯动作。 相似文献
79.
综述了Mo在不同溶液中的电化学行为、电池作用腐蚀
行为,并从技术的角度总结了它在各种碱性溶液、酸性溶液、无机盐溶液以及海水中的耐蚀性能.最后对研究工作进行了展望. 相似文献
80.
沙维 《稀有金属(英文版)》1996,(3)
Stress-rupturePropertyandMicrostructureofYttriaDispersionStrengthenedAlloyMA956ShaWei(沙维)(DepartmentofCivilFngineering,TheQwe... 相似文献