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101.
102.
~~Growth of CeO_2, Y_2O_3 Buffer Layers for YBCO Coated Conductor  相似文献   
103.
A novel guarded surface leakage test structure is used to isolate the surface and bulk leakage contributions to gate current in AlGaN/GaN HFETs. Passivation with various recipes of SiN/sub x/ always resulted in the commonly observed increase in gate leakage, which was found to be dominated by bulk leakage through the AlGaN. However, high temperature deposited SiN/sub x/ recipes gave a 1-2 orders reduction in surface leakage, whereas low temperature deposition gave an increase. Gate lag measurements were found to correlate closely with the surface leakage component, giving direct evidence that the key device problem of current slump is associated with current flow at the AlGaN surface.  相似文献   
104.
用步进电机实现连续变焦距光学镜头的变焦控制   总被引:7,自引:0,他引:7  
邹华  张孟伟 《光电工程》2003,30(1):29-31,37
根据望远镜的工作原理,对变焦距光学镜头的变焦运动进行了定性分析,并且根据理想光学系统的物像关系式推导出该镜头运动镜组的运动方程。该连续变焦控制的实验装置包括步进电机,电机驱动器以及控制平台,其控制程序用VisualC 编写。实验表明,该方法能方便地实现连续变焦距光学镜头的变焦控制。  相似文献   
105.
多组分间歇精馏工艺计算探讨   总被引:2,自引:2,他引:0  
谈冲 《化工设计》2003,13(1):7-10
介绍用“微元时段”计算多组分间歇精馏的方法。  相似文献   
106.
Electron and hole ionization coefficients in In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As are deduced from mixed carrier avalanche photomultiplication measurements on a series of p-i-n diode layers, eliminating other effects that can lead to an increase in photocurrent with reverse bias. Low field ionization is observed for electrons but not for holes, resulting in a larger ratio of ionization coefficients, even at moderately high electric fields than previously reported. The measured ionization coefficients are marginally lower than those of GaAs for fields above 250 kVcm/sup -1/, supporting reports of slightly higher avalanche breakdown voltages in In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As than in GaAs p-i-n diodes.  相似文献   
107.
对基站天线的基本原理、天线选型、天线参数设置、天线安装等方面进行了描述,对天线下倾角、分集距离等进行了重点讨论。  相似文献   
108.
109.
本文提出了一种基于自然数线性八叉树的优化构造算法。该算法以活动结点表为中间辅助结构,在图像输入过程中直接生成基于N码的八叉树叶结点.与常规构造算法相比,新提出的优化构造算法省去了N码的计算及合并过程,从而具有较高的时空效率.  相似文献   
110.
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