全文获取类型
收费全文 | 492261篇 |
免费 | 55106篇 |
国内免费 | 43135篇 |
专业分类
电工技术 | 45842篇 |
综合类 | 55392篇 |
化学工业 | 57098篇 |
金属工艺 | 38164篇 |
机械仪表 | 34897篇 |
建筑科学 | 36207篇 |
矿业工程 | 21431篇 |
能源动力 | 12510篇 |
轻工业 | 55347篇 |
水利工程 | 17434篇 |
石油天然气 | 19885篇 |
武器工业 | 7459篇 |
无线电 | 50165篇 |
一般工业技术 | 39061篇 |
冶金工业 | 20616篇 |
原子能技术 | 8754篇 |
自动化技术 | 70240篇 |
出版年
2024年 | 3122篇 |
2023年 | 7764篇 |
2022年 | 18332篇 |
2021年 | 23158篇 |
2020年 | 16872篇 |
2019年 | 11521篇 |
2018年 | 12141篇 |
2017年 | 14429篇 |
2016年 | 13024篇 |
2015年 | 20906篇 |
2014年 | 26562篇 |
2013年 | 31007篇 |
2012年 | 39026篇 |
2011年 | 44031篇 |
2010年 | 40219篇 |
2009年 | 37702篇 |
2008年 | 39095篇 |
2007年 | 37780篇 |
2006年 | 32411篇 |
2005年 | 26466篇 |
2004年 | 22759篇 |
2003年 | 14458篇 |
2002年 | 13722篇 |
2001年 | 11767篇 |
2000年 | 9169篇 |
1999年 | 4871篇 |
1998年 | 2240篇 |
1997年 | 2077篇 |
1996年 | 1221篇 |
1995年 | 1050篇 |
1994年 | 810篇 |
1993年 | 2445篇 |
1992年 | 1914篇 |
1991年 | 1310篇 |
1990年 | 1233篇 |
1989年 | 1005篇 |
1988年 | 629篇 |
1987年 | 382篇 |
1986年 | 296篇 |
1985年 | 178篇 |
1984年 | 130篇 |
1983年 | 109篇 |
1982年 | 85篇 |
1981年 | 126篇 |
1980年 | 210篇 |
1979年 | 133篇 |
1976年 | 77篇 |
1965年 | 66篇 |
1959年 | 108篇 |
1951年 | 85篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
91.
92.
93.
94.
95.
96.
97.
98.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
99.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
100.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献