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191.
192.
分析了MOSFET误导通产生的原因,分别从原理和理论推导两个方面作了分析,主要考虑了开关管中寄生参数对开关特性的影响。通过求解误导通发生的条件,得到哪些参数会导致误触发,最后给出了仿真。文中还提出如何避免MOSFET误导通产生,以及改进方法,对减少实际应用中MOSFET破坏性损坏有一定意义。 相似文献
193.
一种基于Normal基椭圆曲线密码芯片的设计 总被引:3,自引:3,他引:0
文章设计了一款椭圆曲线密码芯片。实现了GF(2^233)域上normal基椭圆曲线数字签名和认证。并支持椭圆曲线参数的用户配置。在VLSI的实现上,提出了一种新的可支持GF(2^233)域和GF(p)域并行运算的normal基椭圆曲线VLSI架构。其架构解决了以往GF(p)CA算迟后于GF(2^233)域运算的问题,从而提高了整个芯片的运算吞吐率。基于SMIC 0.18μm最坏的工艺,综合后关键路径最大时延3.8ns,面积18mm^2;考虑布局布线的影响,芯片的典型的情况下,每秒可实现8000次签名或4500次认证。 相似文献
194.
195.
阐述目前国内常见的建设城域网的技术并深入分析比较几种技术的优势和劣势 ,并就CWDM技术的发展和应用方案实例作了简要描述 相似文献
196.
基于多相滤波器的信道化接收机及其应用研究 总被引:16,自引:0,他引:16
本文主要研究了应用多相滤波技术的信道化接收机建模问题。在给定信道频谱划分方案下,推导了基于多相 滤波器的信道化接收机数学模型。并由此模型设计了一个四信道模拟系统。最后用仿真实验结果验证了模型的正确性。 相似文献
197.
198.
非线性扩频序列的三项式特性 总被引:5,自引:1,他引:4
讨论了三类非线性扩频序列(GMW序列、No序列和Kasami序列)的三项式特性,利用这三类序列的迹表示,证明了GMW序列、No序列和Kasami序列均具有正则三项式对。 相似文献
199.
Su Yu liangDepartment of Energy power Engineering Xi'an Jiaotong University Xi'an ChinaDepartment of petroleum Engineering Petroleum University Dongying ChinaZhang Ming yuan Yang Jian Zhang Chao jieDepartment of Energy power Engineering Xi'an Jiaotong University Xi'an ChinaLi Dong xia Department of petroleum Engineering Petroleum University Dongying China 《水动力学研究与进展(B辑)》2003,15(2)
NOMENCLATUREd———embeddingdimension ,dimensionlessCd(r)———correlationsum ,dimensionlessN———numberofpairsofpointsontherecon structedattractor,dimensionlessr———scalingdistance ,dimensionlessDc ———correlationdimension ,dimensionlessK———Kolmogoroventropy ,bits/sR… 相似文献
200.
Nd3+:Y0.5Gd0.5VO4晶体生长和基本特性 总被引:5,自引:0,他引:5
Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体作为一种新的激光材料,可以用中频感应加热提拉法生长。X射线粉末衍射分析表明它的结构与Nd^3 :YVO4晶体结构相同,它的晶格常数介于YVO4和NdVO4晶格常数之间。用ICP光谱法测定晶体中Nd^3 含量为0.8at%,分凝系数为0.8,与Nd^3 :GdVO4晶体中Nd^3 的分凝系数0.78相当;用称重法测定其密度为5.00g/cm^3;用稳态纵向热流法测出其室温热导率为12.5W/mK。实验表明Nd^3 :Y0.5Gd0.5VO4晶体有希望作为高功率ID泵浦激光晶体材料。 相似文献