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Ming-Jer Chen Kum-Chang Chao Tzuen-Hsi Huang Jyh-Min Tsaur 《Electron Device Letters, IEEE》1992,13(12):654-657
The buried-type p-channel LDD MOSFETs biased at high positive gate voltage exhibit novel characteristics: (1) the ratio of the drain to gate currents is about 1×10-3 to 5×10-3; and (2) the gate and drain currents both are functions of only the gate voltage minus the n-well bias. Such characteristics are addressed based on the formation of the surface n + inversion layer due to the punchthrough of the buried channel to the underlying shallow p-n junction. The measured gate current is due to the Fowler-Nordheim tunneling of electrons from this inversion layer surface and the holes generated within the high-field oxide constitute the drain current. The n+ inversion layer surface potential is found to be equal to the n-well bias plus 0.55 V. As a result, both the oxide field and the gate and drain currents are independent of drain voltage 相似文献
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Xin'an LIANG 《材料科学技术学报》2002,18(1):95-96
Skeletal form of KnbO3 crystals growing in Li2B4O7 solvent was in-situ observed at 900℃ and it was found that shallow depression started to develop on the surface of KnbO3 crystals when the crystal size exceeded several micron,typically 7 micron.Based on the quantitative criterion derived by Chernov,the estimated critical size of KNbO3 crystals was 1 micron,which was consistent with the experimental measurement.The kinetic coefficients,Kcorner and Kcr,in the criterion were experimentally obtained in the diffusive-convective and diffusive-advective flow states respectively. 相似文献
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37.
38.
以某工程钻爆参数为例,阐述了在地下工程掘进施工中,应用回归分析法建立钻爆参数的相关模型,并利用此模型帮助建立某断面钻爆方案. 相似文献
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40.