自干扰抵消盲空时DS-CDMA信号检测技术

针对传统单用户检测器存在远近效应和性能下界问题,近年来提出的一系列最大SINR准则盲空时RAKE接收机,可以较好地合并期望用户的多径分量,同时抑制多址干扰用户能量.本文对这类接收机进行了进一步的研究,提出了一种自干扰抵消方法,更有效地克服了单用户检测器存在的性能下界以及远近效应问题.仿真结果验证了本文方法的有效性.     

淹没水射流空化初生的动力判据

传统的空化初生判据没有考察空泡动力效应的影响和空泡的非等温过程，通过对Rayleigh-Plesset方程的适当无因次化，建立了一种既考虑空泡的动力学效应又适合各种绝热指数的简便的空化初生动力判据。计算了不同环境压力对空化初生的影响。     

供应链管理的研究综述

首先阐述了供应链管理的概念，在此基础之上提出目前供应链的研究框架，并指出供应链管理实践中存在的问题，最后提出未来研究方向。     

EMD与KOH溶液的相互影响

利用滴定分析、热失重分析以及XRD方法研究了EMD和KOH溶液混合后的变化。结果表明:碱与MnO2可以相互作用并导致体系温度的升高,碱浓度的下降,EMD中形成Mn3O4以及MnO2中结合水的损失。相互作用的结果与所加KOH溶液的浓度、EMD中的水含量、二者用量的比例关系以及体系的温度有关。     

超强吸水树脂的吸水性能研究

对自制的超强吸水树脂的吸收性能进行了研究，分别考察了吸水树脂的粒径，溶液的pH值，几种离子如Na^ ,K^ ,Ca^2 ,Mg^2 等的水溶液对吸水树脂吸收性能的影响。实验结果表明，在pH为6－8，树脂粒径为100mesh-120mesh时，树脂的吸水性能最好，各种离子对吸水树脂吸收性能的影响大小顺序为：Na^ ＜K^ ＜Mg^2 ＜Ca^2 。     

涂胶设备背面冲洗功能的开发与研制

本文根据涂胶设备在加工制品过程中所遇到的制品背面沾污问题，提出改进措施，并根据设备的具体情况，增加了涂胶设备的背面冲洗功能。使制品在涂胶过程中，及时地对制品背面进行冲洗，从而保证了制品背面的洁净度，对提高产品质量和提高产品的成品率有非常重要的意义，同时对开发一些技术要求较高的新品也有深远的影响。     

正交异性矩形薄板的稳定性分析

本文求得了正交异性矩形薄板屈曲位移函数微分方程的一般解。可用以求解任意边界矩形板的稳定问题。以两邻边简支，另两边自由的正方形板为例进行了计算。     

超临界CO2萃取技术及成套装备

介绍了超临界CO2 萃取这一新兴分离技术在工业化装置的工艺流程、化工过程、设备及过程控制系统等方面的内容     

汉白玉废料制备球形纳米碳酸钙的研究

将汉白玉废料通过高温煅烧分解得到氧化钙,再用氯化铵循环液溶解氧化钙制得碱性氯化钙溶液,除去其中的Mg、Fe等杂质得到氯化钙精制溶液,利用化学方法合成得到碳酸钙粉体.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)及激光粒度分析仪、白度仪对碳酸钙产品的晶相组成、形貌、粒度分布、白度及化学组成进行了分析,所得产品为纯度达98.5%以上、白度达97%以上、平均粒度为80nm左右的球形纳米级碳酸钙.并对碳化反应速率及合成球形纳米碳酸钙的影响因素进行了分析.实验中循环使用NH4Cl,氨的排放量小,减少了环境污染.     

驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作

a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。