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对 MTJ(磁隧道结 )的 GMR(巨磁阻 )效应进行了分析。 MTJ的结构、形态和工作条件会对 GMR效应产生不同的影响。提出了一种 4× 1位 MTJMRAM(磁存储器 )的电路结构 ,每个 MRAM的存储单元由一个MTJ和一个 MOSFET构成 ,用 MTJ两磁极磁化方向的相对取向表示所存储的数据 ,数字线和位线电流产生磁场的共同作用可完成 MRAM数据的写入。 相似文献
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机械合金化Fe-Ni粉末的相结构 总被引:1,自引:0,他引:1
使用XRD和Moessbauer等方法,研究了在Ar气氛下机械合金化Fe—Ni粉末相结构的变化.结果表明,在机械合金化Fe64-Ni36粉末过程中,fcc相的数量随着球磨时间的增加先增加然后减少,与加乙醇球磨Fe64-Ni36的情形相同.当Ni的含量(原子分数)大于50%时,有fcc相、顺磁相和FeNi3形成,当Ni的含量低于50%时,bcc相的数量随着Ni含量减少而增加.Moessbauer谱的结果表明,因球磨时间或Fe、Ni比例的不同,Fe—Ni球磨粉末固溶体具有不同结构的原子配比。 相似文献
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分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
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一类Feistel密码的线性分析 总被引:5,自引:0,他引:5
该文提出一种新的求取分组密码线性偏差上界的方法,特别适用于密钥线性作用的Feistel密码.该分析方法的思路是,首先对密码体制线性偏差进行严格的数学描述,分别给出密码线性偏差与轮函数F及S盒的线性偏差的数学关系;然后通过求取线性方程组最小重量解,确定密码线性偏差的上界. 相似文献
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微带型Wilkinson功分器设计与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
小型低功耗器件是射频电路设计的研究热点,而微带技术具有小型化低功耗的优点,为此在介绍微带型Wilkin-son功分器工作原理的基础上,使用基于矩量法的ADS软件设计、仿真和优化计算相关数据参数,并制作了一个微带功分器实例,最后对加工的样品进行实测,获得与仿真值吻合较好的预期结果。 相似文献