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31.
CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究 总被引:5,自引:0,他引:5
闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性。 相似文献
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烷基水杨醛肟虽然是一种高选择性的铜萃取剂,但单独使用时,萃取相易出现沉淀;反萃时,再生有机相出现乳化物,而且两相分离时间较长.将月桂醇、仲辛醇、壬基酚三种调节剂分别加入到萃取剂中,研究其对烷基水杨醛肟萃取及反萃行为的影响.结果表明,三种调节剂均可以解决上述问题,只是使萃取能力略有降低;壬基酚加入到烷基水杨醛肟中有助于提高铜铁分离系数,可达647. 相似文献
36.
单壁纳米碳管/纳米铝基复合材料的增强效果 总被引:12,自引:0,他引:12
用半连续氢电弧法和活性氢等离子蒸发法分别制备出单壁纳米碳管(SWNTs)和纳米A1粉体,然后用提纯后的SWNTs和纳米A1粉体制备出SWNTs含量(质量分数)分别为0、2.5%、5.0%、7.5%和10.0%的单壁纳米碳管/纳米铝基块体复合材料.SWNTs对高强度纳米A1基体具有显著的增强作用,当SWNTs含量小于5.0%时,材料的硬度随着SWNTs含量的提高线性上升.其中5%SWNTs和纳米A1的复合增强效果最好,其硬度可达2.89GPa,大约是粗晶A1(0.15GPa)的20倍.当SWNTs含量超过5.0%时,增强效果开始缓慢的下降.讨论了单壁纳米碳管增强纳米铝基复合材料的强化机制. 相似文献
37.
研究了从真空钙热还原炉渣中回收稀土的工艺条件;采用本工艺得到的合格稀土溶液,其回收率达65.41%;副产品氟化钙用作炼硅铁合金的助熔剂,使钙热还原炉渣得到综合利用。 相似文献
38.
论述了燃气红外线辐射器的基本原理 ,对其节能与环保特性的分析表明 :与大气式燃烧器相比 ,红外线辐射器的燃料节约率为 15 %~ 45 % ,CO2 排放量减少率为 15 %~ 48% ,CO排放量减少率为 96.2 %~ 97.7% ,NOx 减少率为 94.9%~ 96.9% ,具有显著的节能与环保效果 相似文献
39.
地下水运动数值模拟过程中边界条件问题探讨 总被引:41,自引:1,他引:40
本文对地下水运动数值模拟过程中边界条件的涵义 和处理方法进行了分析和讨论。阐述了边界条件所包含的双重意义。指出随着人类活动影响 强度的日益增大,边界条件的处理要面临一些新的更为复杂的问题。在模型预报之前必须首 先对边界条件做出预报。边界条件的预报既要考虑自然因素的作用,同时也要考虑人类活动 (人工开采和人工补给)的影响及由于邻区水流条件变化而产生的耦合效应。之后,给出了两 个应用实例。 相似文献
40.