降低OFDM系统峰均比的改进算法研究

针对正交频分复用(OFDM)系统的高峰均功率比(PAPR)问题,在对部分传输序列(PTS)算法和限幅法的基本原理进行简要介绍的基础上,提出了一种用哈达玛矩阵初始化翻转迭代PTS初始搜索相位的改进算法,将输出信号通过限幅处理进一步降低OFDM系统的峰均功率比。仿真结果表明,联合算法有效降低了系统的PAPR,证明了有效性。     

基于Asterisk特色IVR系统的研究与设计

IVR系统即交互式语音应答,是一种功能强大的电话自动服务系统,为客户提供一种进行菜单式导航的功能,是呼叫中心系统的重要组成部分,控制整个业务流程。文中在研究开放源代码软件Asterisk平台的基础上,设计了IVR系统框架。通过对基本服务流程和回拨功能的设计和分析,用以提高IVR系统的服务效率。     

机载远程探测用高能量双波长激光器研究

激光器是机载远程光电探测系统的重要组成部分,其性能直接决定系统应用效果.首先从激光测距方程出发,分析不同探测体制以及双波长探测需求;然后针对半导体泵浦固体激光器进行研究,并对不同双波长实现方式进行了分析;最后通过试验验证,实现了高能量双波长激光输出.试验结果表明:通过主动电光调Q技术和LD侧面泵浦共腔谐振技术,可以实现高重频窄脉宽1.064μm和1.57μm双波长激光输出.     

面向云计算的花朵差分授粉工作流多目标优化算法研究

为解决云计算环境下工作流多目标难于优化的问题,本文提出了一种花朵差分授粉工作流多目标调度优化算法.该算法将工作流中任务和虚拟机建模成花粉,将完整的调度序列建模成花朵.依据任务的偏序关系进行离散花朵授粉过程.仿真结果表明较算法NSGA-Ⅱ和MEOA/D,该算法能在限定的截止期和预算的条件下具有更高的资源利用率.     

5G毫米波信道估计研究综述

信道估计是大规模多输入多输出(Multiple-Input Multiple-Output,MIMO)毫米波(Millimeter Wave,mmWave)系统关键技术之一.梳理了近几年大规模MIMO毫米波的信道估计策略,重点从压缩感知(Compressive Sensing,CS)、参数估计和深度学习三个方面进行了描...     

三轴气浮台推力分配设计

三轴气浮台的冷气系统设计直接影响到控制系统的精度和冷气消耗量.对三轴气浮台冷气控制中的推力分配问题进行了研究,针对冗余的推力分配问题,设计了两种可以优化三轴气浮台推力分配的方法,从经济性、精确性等多个角度对推力分配进行了相应的理论分析和实验研究.通过数学仿真和实验验证了所提方法的合理性和有效性,研究结果满足了在给出期望...     

基于甲烷热解的石英舟熏碳炉设计与实验

制造红外探测器需使用碲锌镉等高纯度单晶材料。制备这类高纯度单晶体材料时,通常用区熔提纯法将原材料纯度由6N (99.9999%)提高到7N (99.99999%)。为了避免高温提纯环境下原材料与石英舟容器壁面粘连,先在石英舟壁面上形成一层厚度均匀、粘附性强的碳膜。针对石英舟表面用传统碳膜涂敷方法处理时存在涂层不均匀且杂质难于去除的问题,设计出一种在真空环境下将甲烷热解生成碳微粒,并将其粘附于石英舟壁面的熏碳炉。进行了加热温度与甲烷热解耗时计算以及加热控温性能与熏碳实验。结果表明,当加热温度在1000～1200 ℃之间时,甲烷热解25%耗时1.734～0.014 s,耗时短且容易实现碳膜粘接。当熏碳加热温度为1106 ℃时,熏碳区中部的控温精度为±0.1 ℃;在横向400~780 mm之间,石英管内腔温度大于等于1100 ℃。该熏碳炉的加热温度控制稳定性和熏碳性能较好,碳膜与石英舟之间的粘附性强,碳膜无污染且厚度均匀。     

带自适应斜坡补偿的COT控制Buck变换器

提出了一种采用自适应斜坡补偿(ARC)的恒定导通时间控制Buck变换器。引入了两个斜坡电压,实现对电感电流下降斜率的检测;通过负反馈环路调节斜坡斜率,使斜坡斜率跟随电感电流下降斜率的变化。最终斜坡补偿带来的额外极点被固定下来,以便于补偿设计。在此基础上,引入瞬态增强电路,提高了负载阶跃响应速度。在5 V输出电压下,负载从3 A到100 mA阶跃时,输出上冲电压减小了150 mV,恢复时间缩短了10 μs。负载从100 mA到3 A阶跃时,输出下冲电压减小了130 mV,恢复时间缩短了12 μs。     

基于移频转发的SAR欺骗式干扰研究

在分析线性调频信号模糊函数的基础上,指出利用频谱搬移达到产生虚假目标原理的可行性,并量化了频率偏移量和距离变化量之间的关系。采用二维移频的方法在特定位置产生虚假目标图像。针对产生虚假图像时虚假目标点多、运算量大的缺点,将二维移频进行了改进,使其更有效、高速的产生虚假目标图像。利用仿真实验验证了理论的正确性。     

GaN HEMT器件中子辐照效应实验研究

建立了GaN HEMT器件(氮化镓高电子迁移率晶体管)中子原位测试技术和辐照效应实验方法,开展了GaN HEMT器件脉冲反应堆中子辐照效应实验研究,重点研究了电离辐射和位移损伤对器件性能退化的影响,获取了GaN HEMT中子位移损伤效应敏感参数和效应规律.结果表明,阈值电压、栅极泄漏电流以及漏极电流是中子辐照损伤的敏感...