光孤子传输特性研究综述

在分别研究了高阶色散、五阶非线性、孤子振幅、孤子相位及孤子间隔对其传输特性的影响之后,对诸多因素的综合影响及其在某种程度上的相互制约关系进行了综述,给出了孤子保形传输的数值计算结果.     

一种高密度系统封装的设计与制作

介绍了硅基内埋置有源芯片多层布线工艺、低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺、芯片叠层装配等高密度系统级封装技术,重点介绍了系统级封装技术的总体结构设计、主要工艺流程、三维层叠互连的关键工艺技术,以及系统测试和检测评价等技术.     

重庆万盛采矿区内主要农作物的光谱测量和分析

矿山开采中产生的固体废弃物和废液会使矿区土壤中富集重金属元素,进而影响矿区内的农作物生长。选择重庆市万盛区矿区作为研究区,采集红薯和南瓜的实测高光谱数据和土壤样本的重金属含量数据。通过对土壤重金属含量和农作物的红边位置偏移进行相关分析,发现不同土壤重金属含量对研究区内主要农作物的影响是不同的。可以看出,在研究区内的两种主要农作物中,红薯对矿区土壤中的重金属Cr、Mn和Cd比较敏感,而南瓜则对以上三种土壤重金属具有一定的吸收和抵抗作用。该结果可以为万盛区矿区内农作物种植的选择提供理论依据。     

基于肖特基势垒二极管的太赫兹固态倍频源和检测器研制

本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究.文章结合肖特基势垒二极管物理结构,采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法,对各模块电路进行优化设计,研制出了高倍频效率的倍频源和高灵敏度的检测器(检波器和谐波混频器).0.15THz检波器测得最高检波电压灵敏度1600mV/mW,在0.11~0.17THz灵敏度典型值为600mV/mW,切线灵敏度优于-29dBm.0.15THz二倍频器测得最高倍频效率7.5%,在0.1474~0.152THz效率典型值为6.0%.0.18THz二倍频器测得最高倍频效率14.8%,在0.15~0.2THz效率典型值为8.0%.0.15THz谐波混频器测得最低变频损耗10.7dB,在0.135~0.165THz变频损耗典型值为12.5dB.0.18THz谐波混频器测得最低变频损耗5.8dB,在0.165~0.2THz变频损耗典型值为13.5dB,在0.21~0.24THz变频损耗典型值为11.5dB.     

一种LDPC系统中的似然值计算方法

在通信系统中采用低密度奇偶校验码（LDPC）与扰码,一方面能够使得信息随机化,同时也能得到较高的编码增益,加扰可以在 LDPC 编码前进行,也可以在编码后进行。针对 LDPC 编码后进行加扰的通信系统,提出了一种通过软解调与软解扰进行LDPC译码所需的似然值的计算方法。首先对这种级联系统的结果进行描述,其次对似然值的计算进行了理论推导,最后构建仿真系统,与 LDPC 结合进行仿真验证。     

分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉研究

针对远红外探测器衬底制造对高品质碲锌镉单晶材料的需求,为了满足高品质碲锌镉单晶生长对高纯度原材料的需要,基于区熔提纯原理与工艺实现方法设计出一种由区熔炉炉体、移动加热装置、气路系统和电气控制系统等组成的分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉。采用氢气除杂、氮气保护和伺服机构控制加热温度场移动的方法来实现区熔提纯。在区熔窄区宽度为15 mm和倾斜角度为7°的条件下,开展了碲、锌和镉等原材料的区熔提纯实验。结果表明,当加热温度高于材料熔点50 K且移动速度为0.006 mm·s^-1时,区熔加热装置往复移动10次以上,可将碲锌镉晶体制备所需的原材料纯度由6N (99.9999%)提高到7N (99.99999%);分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉的加热温度、加热装置移动速度和移动稳定性较好。     

高光谱微波辐射计宽带高速数字系统设计

高光谱微波辐射计是基于频谱分析技术的精细谱段微波辐射计,通过增加探测通道实现高垂直分辨率大气探测,解决传统微波辐射计通道数少,频谱分辨率低的问题.该系统采用高性能模数转换器(Analog-to-Digital Con-verter,ADC)实现对模拟输入信号进行10Gsps采样,8bit量化,并基于高性能现场可编程门阵列(Field Programming Gate Array,FPGA)芯片获取输入信号的功率谱.文章详细介绍了宽带高速数字系统设计、器件选型和测试方法,给出了测试结果,分析表明硬件系统设计符合设计要求.     

高清播控平台的关键技术探析

高清播控平台为电视台的现代化构建、发展以及应用提供了强大的技术支持和功能支持.这些技术和功能有利于提升高清播控的播出质量、安全性以及监控能力.现代化的高清播控平台需要结合市场实际需求的变化而不断优化,才能满足用户对播控清晰度和稳定性的要求.基于此,分析高清播控平台的建设理念和关键技术,期望能为高清播控平台建设提供参考.     

二次退火对p型GaN的应变影响

采用LP-MOCVD在蓝宝石基片上外延生长了Mg掺杂p-GaN,并对样品进行了退火处理.利用高分辨X射线衍射(HRXRD)对经不同退火时间处理后的样品进行了测试分析,从应变的角度对p型GaN中的杂质和缺陷行为特性进行了分析和探讨.结果表明:p型GaN的应变状态与其退火过程中的杂质和缺陷行为及其最后的电学性能都有着一定的规律性.     

金红石型纳米TiO2的液相激光烧蚀合成

利用浸入聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)水溶液中的金属钛片为靶材,采用1064nm红外脉冲激光进行液相激光烧蚀制备了金红石型纳米TiO2。应用XRD、TEM、HRTEM和Raman对产物进行表征,并对其形成机理进行了探讨。结果表明:金红石型纳米TiO2可通过液相激光烧蚀法在室温下一步合成,颗粒平均粒径约50nm,尺寸分布比较窄,分散性较好。脉冲激光诱导的瞬间等离子体可能是金红石型纳米TiO2形成的主要原因。