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通过对甸镓砷磷半导体激光和常用He-Ne激光生物特性进行初步比较,说明半导体激光对治疗椎基底动脉供血不足疗效较明显。 相似文献
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针对三峡500kV双回同塔线路的塔型方案优化选择,依据工程实际情况以及防雷计算结果,对塔头的绝缘配合进行了研究。研究结果表明,所优选推荐并采用差绝缘的塔型尺寸紧凑、质量轻、美观,而且防雷特性较优,尤其是双回同时跳闸率最低。 相似文献
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1工程概况云龙水库是昆明市掌鸠河引水供水工程的水源工程,位于昆明市西北部禄劝县的云龙乡岔河村附近,距昆明市区约86km。大坝坝址选在金沙江水系二级支流掌鸠河上游峡谷河段内,初期规模正常蓄水位2087.97m,校核洪水位2091.98m;终期规模水库正常蓄水位2089.67m,设计洪水位2092.59m,校核洪水位2093.58m。初期规模总库容4.48亿m3,终期规模总库容4.84亿m3,属大(2)型水库工程,工程等别为Ⅱ。水库枢纽建筑物由大坝,泄洪、导流隧洞,引水隧洞,溢洪道等组成。除溢洪道按初期规模兴建外,其余枢纽建筑物均按终期规模兴建。泄洪、导流和引水建筑物布置… 相似文献
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针对高职高专培养应用型人才的要求,分析了目前电工学课程教学的现状,提出了电工学课程改革方案。 相似文献
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Efficiency improvement of near-ultraviolet InGaN LEDs using patterned sapphire substrates 总被引:1,自引:0,他引:1
Woei-Kai Wang Dong-Sing Wuu Lin S.-H. Han P. Horng R.-H. Ta-Cheng Hsu Huo D.T.-C. Ming-Jiunn Jou Yuan-Hsin Yu Lin A. 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》2005,41(11):1403-1409
The use of conventional and patterned sapphire substrates (PSSs) to fabricate InGaN-based near-ultraviolet (410 nm) light-emitting diodes (LEDs) was demonstrated. The PSS was prepared using a periodic hole pattern (diameter: 3 /spl mu/m; spacing: 3 /spl mu/m) on the (0001) sapphire with different etching depths. From transmission-electron-microscopy and etch-pit-density studies, the PSS with an optimum pattern depth (D/sub h/=1.5 /spl mu/m) was confirmed to be an efficient way to reduce the thread dislocations in the GaN microstructure. It was found that the output power increased from 8.6 to 10.4 mW, corresponding to about 29% increases in the external quantum efficiency. However, the internal quantum efficiency (@ 20 mA) was about 36% and 38% for the conventional and PSS LEDs, respectively. The achieved improvement of the output power is not only due to the improvement of the internal quantum efficiency upon decreasing the dislocation density, but also due to the enhancement of the extraction efficiency using the PSS. Finally, better long-time reliability of the PSS LED performance was observed. 相似文献
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