npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

热超声倒装键合过程中的非线性动力学行为

在作为微器件电气互连主要手段的热超声键合工艺中,微细键合区域内金属变形/变性/互连所需的能量,来自于超声波功率源通过换能系统所施加的微幅压剪动载.对热超声倒装键合过程的研究说明,PZT换能系统在热超声倒装键合工艺过程中的非线性动力学行为,如换能系统启动后的初值敏感性和不确定性,键合工具与换能杆之间的不稳定动力耦合,倒装芯片运动的奇异相轨线等,是深入研究键合机理以及提高工艺可靠性的重要关键.     

微腔中nc-Si/SiN超晶格的光致发光

研究了一维光子晶体微腔结构对nc-Si/a-SiNz超晶格发射的调制.一维光子晶体微腔采用两种具有不同折射率的非化学组分非晶氮化硅的周期调制结构,腔中嵌入采用激光晶化方法制备的硅量子点阵列,从Raman谱和透射电子显微镜分析得到其尺寸约为3～4 nm.从光致发光谱上观察到明显的选模作用、明显变窄的发光峰以及约两个量级的发光强度的增强.微腔对硅量子点阵列发光的调制主要表现在两个方面:共振模式的增强和非共振模式的抑制.硅量子点中位于腔共振模式的辐射跃迁被增强,非共振模式的辐射跃迁被抑制,因此位于腔共振频率处的跃迁通道成为硅量子点中唯一的辐射跃迁通道,导致光致发光谱的窄化和强度的增强.因此,在提高硅材料发光效率方面,光子晶体微腔具有非常大的应用前景.     

基于多信号流图的飞控系统实时故障诊断

针对飞控系统构造复杂、解析建模困难的特点,给出一种基于多信号流图模型进行实时故障诊断的方法。该方法首先建立系统的多信号流图模型,然后根据模型得出相关矩阵,在相关矩阵和各实时测试结果基础上按照实时故障诊断基本算法进行诊断推理,判定系统各模块所处的状态。对某型飞机飞控系统的建模以及模拟诊断结果表明,该方法能隔离多故障,同时降低虚警率,是一种十分有效的实时故障诊断方法。     

一种基于约束最小四阶矩的盲自适应多用户检测方法

基于约束最小四阶矩(Least Mean Fourth,LMF)准则,提出了一种新的高阶统计类型的盲多用户检测方法.通过理论分析和证明,采用此准则的盲多用户检测算法能够收敛于全局最小值,且该极值点符合多用户信号迫零解相关的要求.利用最速下降梯度方法,文中给出了盲自适应LMF接收机形式.该多用户接收机具有运算复杂度低,收敛性能好的特点.在AWGN信道和多用户环境中的仿真结果进一步验证了理论分析的结论.     

刍适应编码调制技术在DVB—S2中的应用

阐述DVB—S2中自适应编码调制技术（Adaptive Coding Modulation，ACM）的原理，介绍DVB—S2自适应编码调制技术在IP单播中的具体应用，并分析影响ACM性能的因素。     

Internet Application Technologies in Web 2.0 Era

The Internet has stepped into Web 2.0 era. Web 2.0 application technologies and services are rapidly developing, accompanied by the innovation and revolution of business models. This article analyzes the development of Web 2.0 technologies and their promotion role in the development of Internet services, discusses the implementation of Web 2.0 core concepts (including user participation, resource sharing and platform) by the multiple Internet application technologies, and gives the development trends of Internet application technologies.     

大功率半导体列阵激光器的偏振复用技术研究

根据大功率半导体激光器输出光束的偏振特性,基于偏振复用的原理,分别利用双折射晶体和偏振合束晶体对两只大功率半导体线列阵激光器进行了偏振合束研究.依据理论计算结果,生长了双折射晶体YVO4,并进行了特殊的光路系统设计,最终实现了偏振复用,功率效率达到66%;利用偏振合束,晶体功率效率为85%.最后,从各方面比较了两种方法的优缺点.     

硅/玻璃紫外固化中间层键合

利用玻璃的透光特性和紫外固化的成熟技术,研究了一种使用紫外固化胶作为中间层的玻璃/硅室温键合工艺.通过选择一定波段的紫外固化胶,旋涂紫外胶后使用365nm光刻机作为紫外光源控制紫外固化,从而实现了硅/玻璃的中间层键合.分析测试结果表明,紫外固化辅助的中间层键合可以成功应用于硅/玻璃键合,中间层厚5～6μm,键合强度达到26MPa.该工艺只需室温条件,简单高效,成本低廉,无需额外的压力或电场,对于硅/玻璃低温键合封装具有潜在的应用价值.     

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530'和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.