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有线网络行业垄断性的改变及竞争形势分析 总被引:2,自引:0,他引:2
有线网络行业既具有自然垄断性,又具有行政垄断性.但随技术进步和国家政策的调整,其自然垄断性被削弱,行政垄断也被打破.在位的有线网络企业面临着两个层面的竞争:一是基于不同视频传输方式的竞争,二是同为有线网络传输方式的竞争,而后者是直接的竞争.对有线网络行业的竞争进行了SWOT分析.最后讨论了竞争形势下在位的有线网络运营商的应对思路. 相似文献
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鉴于蜗杆传动性能试验测试的复杂性,利用Unigraphics高端CAD/CAE软件,建立了蜗杆传动的虚拟试验环境;根据各因素对蜗杆传动的影响情况,实现了各种影响因素数据库的建立以及和UG的链接;利用知识驱动的参数化设计功能,通过程序调用数据库参数建立了蜗轮-蜗杆的三维模型;完成了蜗杆传动虚拟试验环境的各种参数设置;并利用该虚拟试验环境进行了实际蜗杆传动的试验测试工作。结果表明,该虚拟试验环境能够基本满足蜗杆传动的试验要求,试验数据能够为蜗杆传动的设计提供较为可靠的计算依据,且能够节约大量的试验工时和费用。 相似文献
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Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献
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Speed superiority of scaled double-gate CMOS 总被引:1,自引:0,他引:1
Unloaded ring-oscillator simulations, performed with a generic process/physics-based compact model for double-gate (DG) MOSFETs and supplemented with model-predicted on-state currents and gate capacitances for varying supply voltages (VDD), are used to show and explain the speed superiority of extremely scaled DG CMOS over the single-gate (e.g., bulk-Si) counterpart. The DG superiority for unloaded circuits is most substantive for low VDD < ~1 V 相似文献
98.
本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理,阐述了其I-V特性中的负阻现象。简单介绍了MIM结构负阻的几种解释,根据热像仪照片和低温测试结果分析,再结合Dearmaley导电模型,我们提出了MIM负阻的物理模型,理论与实验符合较好,最后分析了负阻现象的应用前景。 相似文献
99.
射频板条CO_2激光器并联谐振技术的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用周期性网络模型计算了射频板条CO2激光器电极的纵向电压分布.探讨了并联谐振技术在板条器件中获得成功运用的原因.提出了利用并联谐振技术进一步提高电压分布均匀性的两个途径. 相似文献
100.
对己二腈工业反应器提出了两釜串联带回流的模型,通过模拟计算得出模型的级间返混系数 f=6的结论。该模型能较好地预测工业反应器中物料组分浓度变化和气、液两相的流动特性;指出了现工业反应器的鼓泡中和段体积偏小是造成己二酸浓度偏高的关键;提出了可以通过增加串连一个鼓泡预反应段的改造方案,能有效地降低己二酸的浓度,从7%降至4%左右,从而能较好地减缓腐蚀和结焦。 相似文献