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111.
Zhen Wang 《Applied Composite Materials》1995,2(4):257-264
A bimodal Weibull distribution function was applied to analyse the strength distribution of glass fibre bundles under tensile impact. The simulation was performed using a one-dimensional damage constitutive model. The results show that there were two concurrent flaw populations in the fracture process. The regression analysis using the bimodal Weibull distribution function was in good agreement with experiment. 相似文献
112.
113.
LIHong-kun MAXiao-fiang WANGZhen ZHUHong 《国际设备工程与管理》2003,8(4):233-238
The local wave method is a very good time-frequency method for nonstationary vibration signal analysis. But the interfering noise has a big influence on the accuracy of time-frequency analysis. The wavelet packet de-noising method can eliminate the interference of noise and improve the signal-noise-ratio. This paper uses the local wave method to decompose the de-noising signal and perform a time-frequency analysis. We can get better characteristics. Finally, an example of waveletpacket denoising and a local wave time-frequency spectrum application of diesel engine surface vibration signal is put forward. 相似文献
114.
115.
服务作业系统设计技术路线及方法体系的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
服务项目实施需要特定的设施和作业系统。阐述了服务作业系统的特征,以工业工程和市场营销等多学科为指导,探讨了该类系统的设计目标和原理,提出了完整服务作业系统设计技术路线和方法体系。 相似文献
116.
117.
砂岩储集层微波加热产生微裂缝的机理及意义 总被引:10,自引:2,他引:8
微波加热无需介质传热,具有升温速度快、热惯性小、选择性加热、穿透力强、过程易于控制等优点,已被试验性地应用于石油开采中。但有关微波加热对储集层岩石微观结构影响的研究还很缺乏,限制了该项技术在油气开采领域的广泛应用。通过实验手段研究了微波加热前后砂岩岩样微观结构变化、微裂缝产生机理及特征。结果表明,砂岩在微波加热过程中容易产生微裂缝,且不同岩石的微波加热致裂机理不尽相同,主要包括:矿物失水收缩、颗粒粒间开裂和颗粒内部开裂,低渗透致密砂岩刚性颗粒的粒内开裂作用显著。微波加热产生的微裂缝具非定向特征,即使在应力的作用下有一部分裂缝会发生闭合,但仍有大量微裂缝可以起到增加渗透率的作用。井下微波加热的致裂作用有助于改善近井区域渗流能力,提高低渗透油气藏的开采效率。图4参15 相似文献
118.
Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献
119.
阐述了长螺旋水下灌注桩的技术要点及技术参数控制标准,结合工程实例中桩基检测的结果,分析表明,采用长螺旋水下灌注桩技术施工便捷、噪声小、效率高、成本低,是一种经济、高效、环保的施工工艺. 相似文献
120.