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51.
一种用于脉冲发动机的级间隔离装置设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
设计一种用于脉冲固体火箭发动机的级间隔离装置。介绍了级间隔离装置的设计要求与设计方案,然后进行了详细设计和仿真分析,对加工出的产品进行的承压试验、打开试验以及点火试验结果表明,本文设计的级间隔离装置能够满足脉冲发动机的使用要求。  相似文献   
52.
Grammar inference (GI) encompasses theory and methods for the inference of any structure that can recognize a language-be it a grammar, an automaton, or some other procedure-from training data. It has many applications[1,2]. And many methods are developed to carry out it[3~5]. However, relative fewer efforts have been made to infer a grammar using evolution strategies (ES). We believe that ES is suitable for the inference of a language due to their direct coding scheme and their simple way …  相似文献   
53.
采用外观检查、金相切片、SEM和EDS分析等手段,通过对贴片电容器失效实例的分析,介绍了对贴片电容器失效的分析过程与方法,得出了内部电极间的陶瓷介质裂纹存在并联电阻特性,这是导致电容器产生漏电失效的主要原因,该裂纹属制造缺陷。失效分析对贴片电容器制造工艺有质量控制作用。  相似文献   
54.
美国与俄罗斯战略轰炸机内部弹舱能够挂载旋转发射架,以旋转供弹方式发射巡航导弹.如战略轰炸机内部弹舱能挂载和投放炸弹,巡航导弹一般采取外挂式发射.这种发射方式气动阻力大,不利于飞机隐身.为国产轰炸机弹舱设计一种适用的旋转发射架,制定一种新式的投弹方案,不同于美俄主流轰炸机投弹的方式.分析两种投弹顺序下旋转发射架的振动情况.分析结果表明:投弹时保证剩余挂弹对称可减小旋转发射架的离心振动,更适合在国产轰炸机上应用.  相似文献   
55.
运用Vague集理论,探索解决雷达导引头干扰效果评估问题的方法。首先,建立基于Vague集的干扰效果评价模型,该模型考虑到实践中不同指标的重要性问题,为指标赋予不同的权重,并对原有的符合度判决方法进行改进。然后,结合交叉眼干扰的具体实例,分别运用文中提出的基于Vague集的评价模型和相似度模型进行评估。对比分析试验结果,发现在指标权重相同的情况下,两种方法计算出的评价等级相同,且文中提出的方法计算量更小,验证了该方法的有效性和优越性。  相似文献   
56.
An experimental 75 GHz gyrotron has been designed and manufactured in our research institute. There are two different types of tube operating at the TE521 and TE041 modes, respectively, and at the second harmonic. A laminar flow magnetron injection gun is used so that the velocity spread due to the space-charge effect is greatly reduced.  相似文献   
57.
超声波清洗在硅片生产中具有广泛的应用,影响超声波清洗效果的因素有很多,如清洗液温度、清洗液浓度等。为了研究清洗温度和清洗液浓度对硅研磨片清洗效果的影响,在实验中通过改变清洗液温度及清洗液的浓度,最后观察硅片表面洁净情况。得出清洗液温度和清洗液浓度不是越高越好,在某一具体工艺下,都存在一个适宜范围,在适宜范围内,硅片的清...  相似文献   
58.
用椭偏光谱法测量了(35keV,1.0×10118cm-2)和(65keV,1. 0×1018cm-2)C+注入Si形成的SiC/Si异质结构.应用多层介质膜模型和有效介质近似,分析了这些样品的SiC/Si异质结构的各层厚度及主要成份.研究结果表明:注35keV C+的样品在经1200 C、2h退火后形成的SiC/Si异质结构,其β-SiC埋层上存在一粗糙表面层,粗糙表面层主要由β-SiC、非晶Si和SiO2组成,而且β-SiC埋层与体硅界面不同于粗糙表面层与β-SiC埋层界面;注65keV C+的样品在经1250 C、10h退火后形成的SiC/Si异质结构,其表层Si是较完整的单晶Si,埋层B-SiC分成三层微结构,表层Si与β-SiC埋层界面和β-SiC埋层与体硅界面亦不相同.这些结果与X射线光电子谱(XPS)和横截面透射电子显微镜(TEM)的分析结果一致.  相似文献   
59.
射频芯片内DCXO的晶体振荡主电路设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器(DCXO)的振荡主电路设计,以Deep-N-Well CMOS工艺的PMOS为主工作管,采用Santos(改进Colpitts)结构、非对称差分式振幅控制环,避免了因Vt依赖工艺与温度等而产生的可靠启振问题.该10MHz DCXO振荡器主电路,采用TSMC Mixed/RF 0.18μm CMOS工艺,在2V电源电压下,仿真得到输出特性为:振幅峰峰值0.8V,平均电流2.9mA,相位噪声-140dBc/Hz@1kHz,-173dBc/Hz@1MHz,启动时间约2.8毫秒,可作为DCXO核心振荡模块.  相似文献   
60.
GaN基HEMT场板结构研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展,介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理,总结了均匀场板结构、台阶场板结构、多层场板结构、双场板结构等对栅漏击穿电压BVGD的改善情况,叙述了栅终端场板和源终端场板的功率附加效率(PAE)、截止频率fT、最大振荡频率fMAX、增益等微波特性的不同点,获得了最佳场板结构以及场板连接方式.  相似文献   
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