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Blokhin S. A. Nevedomsky S. N. Bobrov M. A. Maleev N. A. Blokhin A. A. Kuzmenkov A. G. Vasyl’ev A. P. Rohas S. S. Babichev A. V. Gladyshev A. G. Novikov I. I. Karachinsky L. Ya. Denisov D. V. Voropaev K. O. Ionov A. S. Egorov A. Yu. Ustinov V. M. 《Semiconductors》2020,54(10):1276-1283
Semiconductors - The results are presented of a study and optimization of the conditions under which heterointerfaces of the GaAs–InGaAsP type are formed via the direct intermolecular wafer... 相似文献
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