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提出了冷轧(拔)无缝钢管高分子润滑工艺。研究了该工艺的PL膜各种特性。介绍了工业实验情况。实验证明,高分子润滑工艺完全满足冷轧(拔)钢管工艺要求,并具有操作简便、环境污染小等优点,完全可以代替传统的磷化-皂化润滑工艺。 相似文献
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In this paper, we derive a high-order compact finite difference scheme for solving the reaction–subdiffusion equation with Neumann boundary value condition. The L1 method is used to approximate the temporal Caputo derivative, and the compact difference operator is applied for spatial discretization. We prove that the compact finite difference method is unconditionally stable and convergent with order O(τ2?α+h4) in L2 norm, where τ, α, and h are the temporal step size, the order of time fractional derivative and the spatial step size, respectively. Finally, some numerical experiments are carried out to show the effectiveness of the proposed difference scheme. 相似文献
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目的针对传统量子遗传算法无法充分利用种群中未成熟个体信息的不足,提出了基于交互更新模式的量子遗传算法(IUMQGA)并应用于几何约束求解中。方法几何约束问题的约束方程组可转化为优化模型,因此约束求解问题可以转化为优化问题。采用将遗传算法与量子理论相结合的量子遗传算法,使用双串量子染色体结构,使用交互更新策略将遗传算法中的交叉操作利用量子门变换来实现,根据不同情况采用不同的交互更新策略。这里的交互,指的是两个个体进行信息交换的过程,该过程用以产生新的个体。这不仅增加了个体间信息的交换而且充分利用了种群中未成熟个体的信息,提高了算法的收敛速度。结果通过非线性方程实例和几何约束实例测试并与其他方法比较表明,基于交互更新模式的量子遗传算法求解几何约束问题具有更好的求解精度和求解速率。双圆外公切线问题实例中,IUMQGA算法比QGA算法稳定;单圆填充问题和双圆外公切线问题实例中,通过实验求得各变量的最优值与其相应的精确值的误差在1E-2以下。结论采用交互更新模式的量子遗传算法可以很好地求解几何约束问题。 相似文献
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Radar Sat-2全极化数据能否应用于土地覆盖分类需要大量的研究和论证。本文以NLCD为参考数据,利用SVM分类器对1景旧金山地区Radar Sat-2全极化数据进行土地覆盖分类实验,并从分类类别面积一致性、空间相似性两个方面对分类结果进行分类精度评价。实验获得Radar Sat-2数据分类结果总体分类精度76.91%和kappa系数0.65,表明Radar Sat-2全极化数据用于土地覆盖分类分类精度较高,可以达到很好的分类质量。 相似文献
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This work presents the design of a novel static-triggered power-rail electrostatic discharge (ESD) clamp circuit. The superior transient-noise immunity of the static ESD detection mechanism over the transient one is firstly discussed. Based on the discussion, a novel power-rail ESD clamp circuit utilizing the static ESD detection mechanism is proposed. By skillfully incorporating a thyristor delay stage into the trigger circuit (TC), the proposed circuit achieves the best ESD-conduction behavior while consuming the lowest leakage current (Ileak) at the normal bias voltage among all investigated circuits in this work. In addition, the proposed circuit achieves an excellent false-triggering immunity against fast power-up pulses. All investigated circuits are fabricated in a 65-nm CMOS process. Performance superiorities of the proposed circuit are fully verified by both simulation and test results. Moreover, the proposed circuit offers an efficient on-chip ESD protection scheme considering the worst discharge case in the utilized process. 相似文献