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31.
在cdma20001x前向信道中,要对一段信号进行传送,一般选用QPSK调制,因为QPSK调制比QAM更适合噪音环境。采用TI6000系列的TMS320C6711芯片处理前向信道信号,可以对复杂性和实时性较高的信号做采集、量化、编码、调制等实时处理,主要功能通过软件编程实现,从而使系统具有结构灵活、可靠性高、可扩展等优点。 相似文献
32.
引入激光回馈的双光束干涉效应的研究 总被引:4,自引:4,他引:0
提出了一种引入He-Ne激光回馈的双光束干涉系统,并在理论和实验两方面进行了研究。实验中对系统中的干涉信号及激光器尾光功率变化同时进行探测。发现当干涉仪的主回馈镜移动时,激光器尾光信号是正弦形波形,而干涉仪输出的是以双峰为一个周期的信号,双峰中一峰总是高于另一峰,并且当主回馈镜移动方向改变时,同一周期中两峰出现的顺序也随之改变。对实验现象进行了理论分析,并模拟出干涉信号及激光自身功率的变化曲线。理论分析及模拟结果与实验结果完全吻合。讨论了利用发现的现象进行测量的可行性,所提出的测量方法易于实现。 相似文献
33.
不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对OLED性能的影响,分别用UVOzone、氧Plasma以及两者相结合的方式对基板进行表面处理,并按照生产工艺制作器件,从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能,不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率,其中UVOzone和氧Plasma结合的方式处理效果最为显著,器件在10V时亮度达到79920cd/m2,比其他两种处理方式亮度提高约25%。 相似文献
34.
为了提供高性能和柔性,操作系统内核应该只保留最小的功能,今天的操作系统大而低效,更缺乏柔性,我们提出了保护分散式操作系统抽象方法,集成了分散式操作系统抽象和保护抽象的方法,这种新的安全方式在分散式抽象系统里共享用户级的抽象,能够使非特权,不信任的任务在运行时定义并安全的共享生成的抽象,它在对相同的抽象重复调用时,通过消除上下文切换的需求和对通常情况进行优化,可获得较好的柔性,保护分散式抽象的设计强调简单并正确性证明,易于理解和使用,文章介绍了保护分散式操作系统抽象方法,并运用该方法开发了一个基于共享库的原型操作系统-ExLinux/LibOS. 相似文献
35.
36.
三峡三期工程主坝大体积混凝土内部温度控制 总被引:2,自引:2,他引:0
三峡右岸三期工程施工中,为了有效控制坝体大体积混凝土内部温升,采取了高温季节使用预冷混凝土浇筑、控制混凝土出机口温度及浇筑温度、对混凝土内部人工通水进行初冷、中冷和后冷等措施。三峡三期工程大坝混凝土内部温度没有出现超标现象,混凝土温控工作取得了良好的效果。 相似文献
37.
目标RCS动态数据的分布特征研究 总被引:1,自引:0,他引:1
复杂目标在不同视向的RCS分布特征是不同的,传统模型对此都没有给出详细的结果。文中以某歼击机和直升机为对象,应用X^2。分布、对数正态分布和瑞利分布模型,以及Kolmogomv拟合优度检验方法,研究其RCS动态测量数据的统计分布特征,得到了在一定显著性水平下,两种目标在不同视向角下对三种模型的拟合效果,同时得到应用X^2。分布拟合时模型半自由度随视向角的分布情况。在显著性水平为0.05时,对于在较短时间内录得的复杂目标动态RCS数据,应用X^2分布可以取得较好的拟合效果。文中结果精确地描述了目标RCS的起伏特征,能够为目标回波的精确模拟与检测提供可靠的依据。 相似文献
38.
39.
通过氟塑料-石墨板式换热器在化纤生产中高温强腐蚀换热工况中的实际应用,并与常规换热器的使用情况的对比分析,阐述了这种新型换热设备的特点。 相似文献
40.
Ting Gang Zhu Uttiya Chowdhury Michael M. Wong Jonathan C. Denyszyn Russell D. Dupuis 《Journal of Electronic Materials》2002,31(5):406-410
In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky
rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers
grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5
V at 100 A/cm2 are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage
in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm2, and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm2. It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC
substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge
terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied. 相似文献