全文获取类型
收费全文 | 27141篇 |
免费 | 3172篇 |
国内免费 | 2131篇 |
专业分类
电工技术 | 2519篇 |
综合类 | 3015篇 |
化学工业 | 3199篇 |
金属工艺 | 1968篇 |
机械仪表 | 1862篇 |
建筑科学 | 1977篇 |
矿业工程 | 1199篇 |
能源动力 | 746篇 |
轻工业 | 2969篇 |
水利工程 | 895篇 |
石油天然气 | 917篇 |
武器工业 | 450篇 |
无线电 | 3012篇 |
一般工业技术 | 2170篇 |
冶金工业 | 1286篇 |
原子能技术 | 437篇 |
自动化技术 | 3823篇 |
出版年
2024年 | 141篇 |
2023年 | 394篇 |
2022年 | 930篇 |
2021年 | 1197篇 |
2020年 | 840篇 |
2019年 | 588篇 |
2018年 | 693篇 |
2017年 | 797篇 |
2016年 | 720篇 |
2015年 | 1262篇 |
2014年 | 1545篇 |
2013年 | 1807篇 |
2012年 | 2229篇 |
2011年 | 2413篇 |
2010年 | 2440篇 |
2009年 | 2328篇 |
2008年 | 2414篇 |
2007年 | 2259篇 |
2006年 | 2091篇 |
2005年 | 1559篇 |
2004年 | 1127篇 |
2003年 | 685篇 |
2002年 | 592篇 |
2001年 | 542篇 |
2000年 | 463篇 |
1999年 | 157篇 |
1998年 | 49篇 |
1997年 | 26篇 |
1996年 | 23篇 |
1995年 | 17篇 |
1994年 | 11篇 |
1993年 | 10篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 11篇 |
1990年 | 9篇 |
1989年 | 11篇 |
1988年 | 5篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 8篇 |
1959年 | 7篇 |
1951年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
缓冲层对氮化镓二维生长的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN)。通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核,准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。 相似文献
62.
提出了在虚拟装配过程中零件与装配体碰撞干涉检测的一种方法。用投影轴算法检测出装配对象的碰撞,用坐标跟踪检测方法确定干涉余量值,并用连续包围盒对复杂和不规则的模型进行分割,通过这三种方法的配合使用,虚拟装配系统对干涉体进行了有效的、实时的、精确的检测。 相似文献
63.
大型储罐底板焊接及变形控制是保证储罐整体施工质量的关键环节,采用碎丝填充的焊接方法可以防止变形,同时可以有效地避免应力集中,提高施工质量。文章介绍了碎丝埋弧焊的原理、工艺参数和焊接方法。实践证明,填充碎丝不仅是一种减小底板焊接变形的手段,同时可以充分利用焊接热能,节约焊接时间和焊剂用量,经济效益好,是一种值得推广的技术。 相似文献
64.
驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
65.
66.
67.
设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和. 相似文献
68.
胡志勇 《电子工业专用设备》2003,32(3):83-86
叙述了先进再流焊接技术的新发展,描述了提高BGA再流焊接效果的工艺要点,优化倒装芯片再流焊接和固化的新方法。最后,讲述了先进的降低氮消耗量的方法即:通过最大限度地提高潜在收益,以促进再流焊接技术的发展,以此来满足装配厂商的需要。 相似文献
69.
70.
HLA-DRB1等位基因主要参与人类的抗原免疫功能,对其进行比较研究,有助于追溯人类的进化迁移史,开发类群特异性药物.本研究以Matlab为平台,用自组织竞争网络(Self-Organizing Competitive Neural Network),对世界54个民族和人群、14个HLA-DRB1等位基因,进行了无监督模式分类.结果表明,各民族之间存在差异性,同民族的各人群之间有相似性.西伯利亚各人群,澳洲各土著人群,黑人各人群,南美印第安各人群,犹太族各人群,日本各人群,及欧美白人各人群有相对独立性:南美印第安人与西伯利亚人有高度相似性;中国民族在南方人群和北方人群间存在较大差异;中国汉族中,广东汉族地位特殊,与少数民族如拉祜族、瑶族关系密切. 相似文献