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目的观察OSAS合并高血压患者体内炎症水平和胰岛素抵抗的关系。方法用PSG检查确诊重度OSAS患者70例,其中40例合并高血压病。用全自动生化仪检测血清真胰岛素(FINS)、C肽、C反应蛋白、空腹血糖,用稳态模型(HOMA)计算IR指数和胰岛β细胞功能指数。结果OSAS合并高血压患者血清CRP、FINS、血清C肽、HOMA-IR和HOMA-islet均较单纯OSAS患者明显升高。结论OSAS患者的慢性炎症通过形成胰岛素抵抗,在OSAS合并高血压的过程中可能起重要作用。 相似文献
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A user pairing method is proposed to improve the throughput gain of virtual multiple input multiple output (virtual MIMO) in 3G long-term evolution (LTE).The approach taken in this study separated the user pairing into four steps 1) the users are divided into two groups according to their signal-to-noise ratio (SNR), and different user pairing metrics are proposed for each group; 2) the scheduler chooses a user for transmitting by a given rule; 3) the scheduler searches the pairing candidate for the selected user in each group; 4) the scheduler chooses the final pairing user from the co-group and crossover-group candidates by using a marginal utility function, to balance fairness and efficiency.The method can improve the throughput of users with high SNR, and guarantee fairness for users with low SNR, so it can be used in 3G LTE systems.The article provides both theoretical analysis and simulation results to support the idea. 相似文献
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在卫星通信、定位设备中,为了迅速完成定位和通信功能,一般要求天线具有较大的波瓣宽度和较好的低仰角增益.研究设计了一种具有良好低仰角增益的宽波束圆极化四臂螺旋天线,该天线在上半空间的增益分布十分均匀,10°仰角的增益相对峰值增益下降不超过3 dB.为了改善天线的轴比性能,文章提出了一种四臂等幅馈电、相位依次相差90°的天线方案,仿真结果表明,这种天线的增益特性和轴比特性都得到了较大的改善. 相似文献
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亚硝酸钠刻蚀液对多晶硅表面陷阱坑形貌的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
酸刻蚀多晶硅表面技术是当前太阳能研究的热点之一。利用亚硝酸钠比硝酸钠氧化能力弱的特点,在普通酸刻蚀液中用亚硝酸钠取代硝酸配制多晶硅表面刻蚀液,然后在相同的工艺条件下刻蚀多晶硅表面。实验样品的SEM显示:含有NaNO2酸刻蚀液使多晶硅表面能布满蚯蚓状的腐蚀坑,腐蚀坑的深度比传统的酸刻蚀的陷阱坑深,而且密度分布比较均匀,样品平均反射率下降到23.5%,与传统配方酸刻蚀液刻蚀的多晶硅表面相比,平均反射率下降了8%左右。 相似文献
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钱岭 《电信工程技术与标准化》2020,(5):1-7
人工智能技术在各个行业的应用均体现出爆发趋势,但是AI技术的性能局限同时约束着相关产品的应用场景。在感知方面,识别算法的准确率无法达到100%,召回率更低;在认知方面,知识难以100%覆盖业务场景,因此如何开展商业化应用就需要精心规划。本文首先介绍几项AI产品研发应用,并总结相关的经验和问题。在此基础上,按照面向任务关键应用(MCA)和非任务关键应用(NMCA)2个维度,针对4个应用类型(决策支持与增强、智能代理、决策自动化、智慧产品),围绕3类商业价值和2类应用假设,分析AI类应用产品的战略规划决策要素,为AI应用领域决策者提供帮助。 相似文献
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基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并通过利用SENTAURUS TSUPREM4和DEVICES软件进行优化设计。P-top层终端结构不仅降低了击穿电压对P-top层参数的敏感度,而且在漂移区引入一个附加的电场峰值,使漂移区电场分布进一步趋于平坦化。与传统Single RESURF和普通Double RESURF器件相对比,击穿电压可以分别提高约13.5%和4%,导通电阻却提高了11.8%和6%,但在满足击穿电压相等的条件下,该结构通过控制P-top层的位置和漂移区剂量可以使导通电阻降低约37%。 相似文献