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911.
基于参数导引随机共振的数字水印算法 总被引:7,自引:0,他引:7
设计并实现了一个基于参数导引随机共振的DCT域数字图像水印算法。在嵌入方,将伪随机的水印序列上采样后与DCT交流系数相加得到嵌入水印的系数,在检测方,待检测图像的DCT交流系数当作随机共振信号处理器的惟一输入,通过调节随机共振信号处理器的参数实现水印的检测。仿真结果表明,算法在保证水印不可感知的前提下能抵抗包括加噪声污染、直方图均衡等信号处理攻击。 相似文献
912.
913.
为探讨超长嵌岩桩初始后屈曲性状,先将桩身视为部分支撑的温克尔地基梁,提出基于组合桩侧土抗力模式建立桩土体系总势能方程。然后基于变分法导得临界荷载表达式,并应用扰动法和变分法推导得超长嵌岩桩初始后屈曲过程中临界荷载变化值与桩土体系参数的一般关系式。据此分析了不同参数对桩身屈曲及初始后屈曲平衡性状的影响。结果表明:初始后屈曲过程中的桩身平衡分枝点具有对称性,但稳定与否与桩侧土抗力模式、桩土刚度比及桩身埋置率等参数有关;设计规范的m法不能很好地反映超长桩的桩侧土抗力模式,所得的临界荷载值偏大。采用组合桩侧土抗力模式分析超长桩的屈曲及后屈曲较m法更为合理。 相似文献
914.
过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一。为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O_2/SF_6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数。结果表明:ECCP模式下,氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷,是诱发过孔腐蚀的主要因素,ICP模式无腐蚀。反应腔压力增大刻蚀速率增大,均一性下降;偏置射频功率增大,速率增大,均一性提高;源极射频功率增大,速率变化小,均一性下降;O_2/SF_6气体比例对速率影响小,O_2含量越高,均一性越高。为达到PR胶保护GI下沿截面的目的,反应压力增大到1.7Pa,偏置射频功率减小到30kW,源极功率增加到30kW,O_2/SF_6气体保持比例1∶1后,增加了氮化硅的刻蚀量,减小PR胶的内缩量,避免物理溅射表面损伤;同时刻蚀速率达到750nm/s,均一性达到10%,腐蚀发生率为10%~0,使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决。 相似文献
915.
21世纪是信息技术全面普及的时代,我国机关单位也开始寻求多元化的档案管理储存模式,希望借助先进技术提高档案管理水平,优化信息收集与整合路径。但是在落实档案管理信息化建设的实际过程中,依然暴露出了一些问题,这些问题不仅制约了档案管理信息化建设的落实,还阻碍了机关单位档案管理水平的提升。对此,文中通过结合档案管理信息化建设的意义与存在的问题,探讨了相关建设路径,以有效促进机关单位实现档案管理信息化建设,提高档案管理水平。 相似文献
916.
917.
918.
重点综述了国内外关于氧化物或碳化物作为强化相的钨基面向等离子体材料的力学性能、氢滞留特性以及辐照损伤,发现制备工艺和强化相含量是影响钨基面向等离子体材料力学性能的主要方面,而均匀分散的强化相颗粒所致使的组织致密化程度更高是钨基材料力学性能提高的主要因素。其次,阐述了晶界和晶内的强化相颗粒分散不均表现出的位移损伤、气泡、绒毛、微裂纹等缺陷都将增加材料对氢同位素的捕获几率,以及等离子体辐照造成的脆化硬化将降低材料的抗热冲击性能。最后分析了近些年弥散强化钨基面向等离子体材料存在的关键基础问题,展望了未来弥散强化钨基材料的主要发展趋势,期望为开发优异的抗高热负荷和辐照损伤的钨基材料方面提供重要参考。 相似文献
919.
基于利用前沿波形,通过预测超前获取雷达信号完整波形进而实施灵巧噪声干扰,提高干扰能量利用效率的目的,对采用由n级移位寄存器产生的本原M序列的二相编码雷达的编码预测问题进行了研究。给出了监测全零子序列,进而利用获得的最多前2n+2个码元,解n元线性方程组,预测获得完整M序列的方法。 相似文献
920.
准确的月度电量预测是指导电力部门安排运行计划和保障售电公司盈利能力的关键基础。针对基于人工智能算法电量预测模型在训练过程中存在样本分辨率选择不当导致预测精度降低的问题,提出了一种历史数据序列分辨率压缩尺度优化方法。首先将数据分辨率压缩尺度选择建模成一个优化问题。然后通过数据驱动方式进行求解。最后再利用长短期记忆(Long Short-term Memory, LSTM)神经网络实现月度电量预测,从而较好地实现了数据分辨率和电量预测步长之间的合理平衡以提升电量预测精度。利用美国PJM电力市场的历史电量数据对所提方法进行验证。仿真结果表明,较不进行分辨率压缩尺度选择所提方法具有更高的预测精度,同时LSTM网络在结合该方法时表现出了最佳的预测性能。 相似文献