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91.
Hongxing Zheng Cheng Zhang Debiao Ge 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2001,22(1):101-111
The absorbing boundary condition required for an anisotropic perfectly matched layer for materials that exhibit a uniaxial and biaxial permittivity tensor is investigated. These materials are used in optical and millimeter wave devices and other particular situations such as in the construction of modern aircraft and automobiles. The derivation presented in this paper may be not suitable for all the arbitrary orientations but for many common situations. The effectiveness of the condition is also illustrated with examples by the finite-difference and finite-element method. 相似文献
92.
设计电磁驱动的金属泵机械结构,分析其振动机理,确定其输出功率的影响因素,比较金属泵和压电泵的优缺点。 相似文献
93.
94.
介绍了一种VA模式反射电极偏压的常黑单盒厚半反半透LCD。在透射区,形成连续且均匀的贯穿液晶层的电场;而在反射区,电场则主要由电极表面形状控制。由此,可使透射区的位相延迟约是反射区的2倍。这样一种半反半透LCD不论透射区还是反射区都有很高的光透过率(>90%),同时二者灰阶特性重合度也很好。 相似文献
95.
介绍了用高效液相色谱法快速测定新型防蛀剂2,5-二氯苯胺的方法,分离柱为HypersilC18柱,淋洗液为乙腈-水-醋酸(70:28:2)。该方法操作简便,分离条件较好,回收率大于99%,变异系数为0.35%。 相似文献
96.
97.
98.
日志分析是云计算业务平台管理中一项非常重要的工作.日志分析旨在保证云平台的高效性与可用性,传统的人工分析方式存在日志复杂、日志量大等问题.本文提出了一种日志异常检测方法,首先基于编辑距离进行文本聚类形成日志模板,在此基础上构建特征向量,利用弱分类器训练形成得分特征向量,利用得分特征向量与随机森林构建强分类器.实验表明,日志模板与真实模板之间的互信息为0.91,较为接近,利用随机森林构建的强分类器在本文的数据集上表现最好,分类精度达0.94. 相似文献
99.
100.
Ho W.Y. Surya C. Tong K.Y. Lu L.W. Ge W.K. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2000,47(7):1421-1425
We report experiments on high dc current stressing in commercial III-V nitride based heterojunction light-emitting diodes. Stressing currents ranging from 100 mA to 200 mA were used. Degradations in the device properties were investigated through detailed studies of the current-voltage (I-V) characteristics, electroluminescence, deep-level transient Fourier spectroscopy and flicker noise. Our experimental data demonstrated significant distortions in the I-V characteristics subsequent to electrical stressing. The room temperature electroluminescence of the devices exhibited a 25% decrement in the peak emission intensity. Concentration of the deep-levels was examined by deep-level transient Fourier spectroscopy, which indicated an increase in the density of deep-traps from 2.7×1013 cm-3 to 4.2×1013 cm-3 at E1=E C-1.1 eV. The result is consistent with our study of 1/f noise, which exhibited up to three orders of magnitude increase in the voltage noise power spectra. These traps are typically located at energy levels beyond the range that can be characterized by conventional techniques including DLTS. The two experiments, therefore, provide a more complete picture of trap generation due to high dc current stressing 相似文献