用高压拉曼光谱方法研究β-胡萝卜素相变

为了探究β-胡萝卜素在高压下是否会发生相变,进行了0～30 Gpa压强范围内β-胡萝卜素的高压拉曼光谱实验。通过评估不同压强范围内拉曼光谱频移-压强的线性函数变化来判断β-胡萝卜素是否发生相变。研究表明,当压强升至约为7 Gpa以及14 Gpa时,β-胡萝卜素分子的频移-压强线性函数方程发生了变化,即发生了相变。通过分析频移-压强函数线性关系是否发生变化来判断相变,是简捷、方便的技术方法。关于纯β-胡萝卜素压力相变的研究,暂未检索到相关报道。     

高精度高比容独石电容器用瓷料研究及其介电常数的计算

首先利用蒙特卡罗有限元法在分析陶瓷材料内电场分布的基础上 ,对微粒混合陶瓷材料的介电常数与各成分含量及其介电常数之间的关系进行了探讨。研究表明 ,由于介质极化的原因 ,在陶瓷材料内部 ,等势线的分布将主要集中于低介电常数成分所占的区域 ,并且 ,微粒混合陶瓷材料各成分的含量及其介电常数都会对陶瓷材料内电场的分布产生重要影响 ,并使陶瓷材料的宏观介电常数发生变化。当陶瓷材料中含有与其他成分介电常数差别相当大的成分时 ,利用蒙特卡罗有限元法可获得较其他传统方法更为准确的结果系统地研究了钡钛钕系统陶瓷的介电性能。研究结果表明 ,Ba Ti O3中掺入极少量的 Nd2 O3(例如摩尔分数 x为 0 .1% )时 ,材料呈半导性 ,电阻率呈明显的 PTCR效应。Ba Ti O3中掺入少量的 Nd2 O3(x≥ 0 .2 % )时 ,材料呈绝缘性 ,且随着 Nd2 O3掺入量的增加 ,材料的平均晶粒尺寸不断减小 ,居里峰向负温方向移动 ,居里峰不断降低。Ba Ti O3中掺入少量 Nd2 O3· 2 Ti O2时 ,随着掺入量的增加 ,居里峰向负温方向移动 ,晶粒尺寸不断增大 ;Ba Ti O3中掺入较多的 Nd2 O3· 2 Ti O2 时 ,随着掺入量的增加 ,介电常数不断减小 ,介电常数的温度特性曲线的非线性程度不断减小 ,并且 ,当 Ba Ti O3与 Nd2 O3· 2 Ti O2 的摩尔比?     

微透镜阵列用于线列红外探测器的研究

采用离子束刻蚀制备了线列长方形拱面熔凝石英微透镜阵列，用准分子激光扫描消融法淀积了性能均匀而且稳定的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜，用湿法刻蚀制备了超导薄膜器件，用微透镜阵列与超导薄膜器件耦合构成组合式红外探测器。     

Te溶剂垂直区熔法生长Φ20MCT晶体组分控制研究

采用Ｔｅ作溶剂在特制的垂直区熔炉上开展了Φ２０ＭＣＴ晶体的生长研究；详细阐述了该方法ＭＣＴ晶体的生长过程和生长机理；总结了分析了晶体生长过程中影响组分的因素；提出了生长过程中组分控制存在的问题和改善组分控制的措施。     

基于AVR单片机的图书录入系统

介绍一种AVR单片机在图书录入系统中的应用,对系统的软件和硬件设计做了说明。本设计以高性能、低功耗的8位AVR微处理器ATmega32L为核心,通过控制步进电机实现执行机构的移动、定位等功能,对书籍进行自动翻页、拍照,适用于有收藏价值、书况不好的书籍的电子图像录入保存。     

直埋光缆接头盒浸水防治的措施

直埋光缆线路接头盒浸水问题是一直困扰光缆线路维护的一个难题,本文通过对凡士林规格及性能的分析,利用凡士林对光缆接头盒进行密封安装实验.实验表明凡士林防水性能良好,适合作预防光缆接头盒浸水材料.     

PCCC for the performance improvement of the wireless optical communication system

Opticalwireless,alsoknownasfree spaceoptics,isa cost effectiveandwidebandwidthaccesstechniqueandreceivesgrowingattentionwithrecentcommercialization success.Buttheperformanceofwirelessopticalcommu nicationwouldbeimpairedintheatmosphericchannelbyattenuation…     

Photomultiplication-Type Organic Photodetectors with High EQE-Bandwidth Product by Introducing a Perovskite Quantum Dot Interlayer

A photomultiplication (PM)-type organic photodetector (OPD) that exploits the ionic motion in CsPbI₃ perovskite quantum dots (QDs) is demonstrated. The device uses a QD monolayer as a PM-inducing interlayer and a donor–acceptor bulk heterojunction (BHJ) layer as a photoactive layer. When the device is illuminated, negative ions in the CsPbI₃ QD migrate and accumulate near the interface between the QDs and the electrode; these processes induce hole injection from the electrode and yield the PM phenomenon with an external quantum efficiency (EQE) >2000% at a 3 V applied bias. It is confirmed that the ionic motion of the CsPbI₃ QDs can induce a shift in the work function of the QD/electrode interface and that the dynamics of ionic motion determines the response speed of the device. The PM OPD showed a large EQE-bandwidth product >10⁶ Hz with a −3 dB frequency of 125 kHz at 3 V, which is one of the highest response speeds reported for a PM OPD. The PM-inducing strategy that exploits ionic motion of the interlayer is a potential approach to achieving high-efficiency PM OPDs.     

1.54 lm GaSb/AlGaSb multi-quantum-well monolithic laser at 77 K grown on miscut Si substrate using interfacial misfit arrays

A GaSb quantum-well (QW) laser diode grown monolithically on a 5deg miscut Si (001) substrate is presented. The III-Sb epi-structure is grown monolithically on the miscut Si substrate via a thin (50 nm) AlSb nucleation layer. The 13% lattice mismatch between AlSb and Si is accommodated by a self-assembled 2D array of interfacial misfit dislocations (IMF). The 5deg miscut geometry enables simultaneous IMF formation and anti-phase domain suppression. The 1 mm times 100 mum GaSb QW laser diode operates under pulsed conditions at 77 K with a threshold current density of 2 kA/cm² and a maximum peak power of ~20 mW. Furthermore, the device is characterised by a 9.1 Omega forward resistance and a leakage current density of 0.7 A/cm² at -5 V.