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131.
132.
Xiaofan?YangEmail author Yong?Fan Bo?Zhang Longfang?Ye Xiong?Xu 《Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves》2011,32(11):1291-1298
A novel rat-race hybrid coupler based on parallel-plate dielectric waveguide (PPDW) is proposed. PPDW has been proposed as
a basic terahertz transmission line for its remarkable simple structure and comparatively low attenuation at terahertz frequency
band. It can be applied to design many terahertz components. In this paper, a (3 N + 3/2) × lambda circumference PPDW rat-race
hybrid coupler operating at quasi-TE10 mode is studied. The investigation results show that, at 0.34 THz, the transmission losses of the two split output ports
are both equals −3.2 dB; the return loss at its input port is below −20 dB; the insertion loss at each split transmission
port is less than 0.2 dB; and the two isolated ports show good isolation of above 20 dB. Therefore, it will have wide potential
applications at terahertz frequency band. 相似文献
133.
134.
网络安全风险评估技术能够检测网络系统潜在的安全漏洞和脆弱性,评估网络系统的安全状况,是实现网络安全的重要技术之一.文中对基于多阶段攻击的网络安全风险评估方法进行了研究,给出了多阶段攻击的网络安全风险评估方法的评估过程,分析了该评估方法中的关键参数,构建了基于多阶段攻击的网络安全风险评估的模型,最后通过实践验证了该方法的有效性,一定程度上提高了评估结果的准确性和一致性。 相似文献
135.
介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明:常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为(2.47±0.04)×10-9Pa-1,高于Si的压阻系数(7.23±3.62)×10-10Pa-1。同时测试了HEMT在-40~50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa-1/℃的速率减小。 相似文献
136.
滞环电流变换器及其在PFC中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
从功率因数校正的功能,讨论了滞环电流变换器(HCC)的工作原理,分析了其稳态运行特性。提出了用于功率因数校正时主要储能元件参数的计算方法。 相似文献
137.
分析了应用于宽带城域网的商用化视频点播系统的技术要点,提出了视频服务器的评价标准,并设计了适合于宽带城域网应用的分层分布式视频点播系统的结构。 相似文献
138.
139.
激光焊接超细基胎体金刚石薄壁钻 总被引:5,自引:1,他引:5
采用激光焊接超细预合金粉胎体,开发了新的薄壁钻产品,通过对与现有的产品工艺、性能测试以及实际使用分析对比,结果表明:激光焊接与普通钎焊相比结合强度提高2-3倍,克服了胎体脱落问题,胎体耐磨性提高了50%-120%,其中轴向磨损速率提高1.2倍;钻削速度提高30.4%,工矿适应性增加,使用寿命提高25%-108%。 相似文献
140.
电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔 总被引:1,自引:0,他引:1
用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔 ,讨论了脉冲电化学腐蚀的参数——周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响 ,并用了以 HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释 ,认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中 ,不但要考虑到 HF酸对硅的纵向电流腐蚀 ,也要考虑到 HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀 .可通过选取合适的周期、占空比 ,使二者对多孔硅的作用达到适中 ,以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔 .并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数 ,根据优化的实验参数 ,制备出了发光峰半峰宽为 6 nm的多孔硅微腔 相似文献