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991.
为了研究压电陶瓷驱动器的驱动性能,分析了以PZT-5H为驱动元件的叠堆型驱动器,采用简化的等效器件建立了电学模型。基于压电陶瓷材料的机电耦合特性运用ANSYS有限元分析软件对叠堆型驱动器进行了计算分析,得出输入电压与输出位移呈近似线性关系,通过控制压电陶瓷两端电压来控制其位移。仿真结果验证了此方案的有效性和可行性。该驱动器在自适应弹药上具有潜在的应用价值,可为弹头的偏转驱动装置设计提供参考。 相似文献
992.
针对机载无源定位存在滤波稳定性差、收敛速度慢、定位精度低等问题,提出一种观测域平方根UKF滤波算法,新算法充分利用了观测域滤波的自动解耦功能和平方根UKF良好的数值稳定性及非线性滤波能力,并通过最小偏度单形采样的UT变换减少了算法在状态域与观测域之间转换时存在的舍入误差,同时也提高了算法的运行效率。仿真结果表明新算法提高了滤波稳定性、收敛速度和定位精度。 相似文献
993.
994.
995.
为研究大口径机枪内弹道性能和弹头出膛状态受内膛损伤的影响规律,探究内膛损伤导致枪管寿终的关键因素,对某12.7 mm重机枪进行了系统的寿命试验。分析获得了该枪枪管内膛损伤的主要形式及其随射弹数增加在枪管轴向的分布及演化规律,在此基础上建立了精确的不同寿命阶段内膛损伤枪管的弹-枪热力耦合有限元模型。采用Fortran子程序实现了内弹道过程与显式有限元方法的迭代数值求解,获得了12.7 mm弹头内弹道性能及出膛状态等随内膛损伤发展的变化规律,将数值模拟结果与寿命试验数据进行对比验证了弹-枪耦合模型的准确性。仿真结果表明:弹头出膛时的扰动量、转速的下降量以及表面形貌的改变量等随枪管射弹数增加而增加,在身管寿命后期表现尤为明显;弹头出膛状态的改变是导致该枪枪管寿终的主要原因。研究结果对进一步分析内膛损伤引起的弹头外弹道性能退化行为,实现从内到外完整地分析枪管寿终机理具有重要意义。 相似文献
996.
997.
998.
合成了6个含偶氮基团的具有不同苯环个数的不对称弯曲型液晶分子,用1 H NMR、HRMS表征其结构,采用差示扫描量热法(DSC)和偏光显微镜(POM)研究其液晶性能。考察结果表明:所有化合物均出现了液晶相,特别是含有3个苯环的分子在较低温度下出现了向列相;偶氮基团的吸收光谱在330~360nm出现了较强的由π-π*电子跃迁引起的吸收,在430~450nm出现了较弱的由n-π*电子跃迁引起的吸收,其吸收波长的变化表明分子的弯曲形状和电子分布使分子吸收波长有较大的变化。 相似文献
999.
Yusi Yang Shun‐Chang Liu Xia Wang Zongbao Li Yun Zhang Gengmin Zhang Ding‐Jiang Xue Jin‐Song Hu 《Advanced functional materials》2019,29(16)
Polarization‐sensitive photodetection in the UV region is highly indispensable in many military and civilian applications. UV‐polarized photodetection usually relies on the use of wide bandgap semiconductors with 1D nanostructures requiring complicated nanofabrication processes. Although the emerging anisotropic 2D semiconductors shed light on the detection of polarization with a simple device architecture, bandgaps of such reported 2D semiconductors are too small to be applied for visible–blind UV‐polarized photodetection. Here, germanium disulfide (GeS2), the widest bandgap (>3 eV) in the family of in‐plane anisotropic 2D semiconductors explored to date, is introduced as an ideal candidate for UV‐polarized photodetection. The structural, vibrational, and optical anisotropies of GeS2 are systematically investigated from theory to experiment. GeS2‐based photodetectors show a strong polarization‐dependent photoresponse in the UV region. GeS2 with a wide bandgap and high in‐plane anisotropy not only enriches the family of anisotropic 2D semiconductors but also expands the polarized photodetection from the current visible and near‐infrared to the brand‐new UV region. 相似文献
1000.
The paper presents a formal and practical approach to dependable algorithm development. First, starting from a formal specification based on the Eindhoven quantifier notation, a problem is regularly reduced to subproblems with less complexity by using a concise set of calculation rules, the result of which establishes a recurrence based algorithm. Second, a loop invariant is derived from the problem specification and recurrence, which certifies the transformation from the recurrence based algorithm to one or more iterative programs. We demonstrate that our approach covers a number of classical algorithm design tactics, develops algorithmic programs together with their proof of correctness, and thus contributes fundamentally to the dependability of computer software. 相似文献