新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

医用聚氯乙烯材料的表面光接枝改性

研究了在不排氧氛围下 ,紫外光照射 ,以二苯甲酮 (BP)为光引发剂 ,甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)在医用聚氯乙烯 (PVC)薄膜表面的气相接枝聚合。探讨了反应条件对接枝结果的影响 ,并用正交法指出了影响因素的显著性。用傅立叶红外 (FT- IR)、水接触角作为接枝改性结果的表征。FT- IR谱图表明 GMA已接枝到 PVC膜表面。水接触角由接枝前的 78°下降到 5 4°     

济钢转炉煤气储存加压系统存在缺陷及处理措施

济钢燃气厂针对济钢转炉煤气储存加压系统的设备现状，组织了一次设备大修，大修后煤气柜升降速度提高到了1．0m/min，并解决了加压机前负压等问题。     

移动IP综述

论述了移动IP的概念和发展过程，分析了国内外对移动IP研究的重点问题及其方法，对移动IP的发展方向进行了归纳和总结，并提出了有关用的问题。     

减压渣油与FCC油浆共炭化的化学组成变化

考察了齐鲁石化胜利炼油厂催化油浆（FCC）和胜利减压渣油（VR）在490℃，0.8MPa下不同混合比的原料和不同反应时间的中间产物的HS、TS、PS、P及其1h中间产物的HS和TS的^1H-NMR。数据结果反映了体系的反应速度。掺入FCC油浆抑制了VR的反应活性，降低了体系的反应速度，增加了基质的溶解度；1h中间产物的组成结构更接近于原料及反应体系的反应性和基质的溶解度；1h中间产物的芳香度越高，取代基越少，侧链越短，基质对VR中的活性反应组分在炭化早期生成的高度缩合物质的溶解度越大。     

FW调剖技术及应用

应用FW调剖技术有针对性地对 119口非钻停井区注水井采取了 4种精细调剖方案 ,对比了化学浅调剖应用前后注水井层间矛盾的缓解 ,纵向上吸水剖面的改善 ,注水量和吸水指数的变化及渗流能力的变化。结果表明 ,注水井化学浅调剖后 ,井区的连通油井明显受效 ,获得较高的增油量 ,水驱的开发效果得到改善。化学浅调剖可以有效地封堵高渗透层 ,扩大低渗透层注入水的波及体积 ,减缓注水井层间矛盾 ,实现了对注水井吸水剖面的有效调整 ,这对深化注水结构调整、挖掘各类油层潜力、提高储量动用程度有显著的效果。     

含铌钢板坯连铸二冷目标温度及配水

讨论连铸生产过程中铸坯温度对含Nb钢高温塑性的影响，在此基础上确定铸坯在二冷段各区的表面目标温度，介绍计算二冷配水的方法，并讨论中间罐钢水温度对二冷配水的影响。     

空投水雷空中弹道设计与仿真

文中对空投水雷的空中弹道进行了研究.在建立了六自由度的水雷空中弹道模型的基础上,在Matlab/Simulink环境下对水雷的空中弹道进行了仿真,并分析了投雷速度、水雷初始俯仰角、空中自然风对水雷空中弹道的影响.     

同位素中子源活化瞬发分析装置

一、基本原理自六十年代中期以来,中子活化瞬发γ射线元素分析技术(PNAA)得到人们广泛重视。与通常的中子活化分析(NAA)技术相比,它分析的是样品中的主要成分,若用同位素中子源,还可进行实时在线连续测定及现场分析。PNAA技术是用热中子与待测元素发生中子俘获反应,处于激发态的产物核在瞬间     

应用事故树法对深水井控进行风险评估

深水井喷事故危害极大，严重时可导致井眼报废、船毁人亡等恶性后果，预防和控制深水井喷是国内外石油界的一个技术难题。文中利用风险树分析引发深水钻井工程事故的顶事件，重点讨论各底事件的相互联系及对系统的影响程度，分析顶事件的发生概率，为最大程度地减少深水井控事故的发生提供理论依据。通过对深水钻井过程中存在的风险进行分析，构建了深水井控风险分析事故树，并对其进行了定性与定量分析。通过风险分析，认为深水井控最主要的影响因素是关井及压井时设备故障、设计方法及操作失误的影响超过安全极限。分析表明，降低基本事件的发生概率对预防井喷作用明显，基本事件发生概率提高1倍，井喷发生概率提高近10倍。针对深水井控过程中存在的风险因素，从工艺、装备及人员要求方面提出了预防深水井喷的措施。