全文获取类型
收费全文 | 128024篇 |
免费 | 14800篇 |
国内免费 | 10805篇 |
专业分类
电工技术 | 11716篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 14663篇 |
化学工业 | 16273篇 |
金属工艺 | 8739篇 |
机械仪表 | 9035篇 |
建筑科学 | 9294篇 |
矿业工程 | 5462篇 |
能源动力 | 3305篇 |
轻工业 | 15052篇 |
水利工程 | 3825篇 |
石油天然气 | 4634篇 |
武器工业 | 1669篇 |
无线电 | 12978篇 |
一般工业技术 | 11049篇 |
冶金工业 | 5168篇 |
原子能技术 | 2110篇 |
自动化技术 | 18655篇 |
出版年
2024年 | 795篇 |
2023年 | 2140篇 |
2022年 | 5015篇 |
2021年 | 6304篇 |
2020年 | 4481篇 |
2019年 | 3125篇 |
2018年 | 3351篇 |
2017年 | 4024篇 |
2016年 | 3642篇 |
2015年 | 5776篇 |
2014年 | 7040篇 |
2013年 | 8644篇 |
2012年 | 10392篇 |
2011年 | 10990篇 |
2010年 | 10300篇 |
2009年 | 10152篇 |
2008年 | 10266篇 |
2007年 | 10064篇 |
2006年 | 8644篇 |
2005年 | 7117篇 |
2004年 | 5159篇 |
2003年 | 3692篇 |
2002年 | 3461篇 |
2001年 | 3104篇 |
2000年 | 2515篇 |
1999年 | 1034篇 |
1998年 | 436篇 |
1997年 | 324篇 |
1996年 | 263篇 |
1995年 | 235篇 |
1994年 | 174篇 |
1993年 | 149篇 |
1992年 | 138篇 |
1991年 | 101篇 |
1990年 | 85篇 |
1989年 | 86篇 |
1988年 | 60篇 |
1987年 | 31篇 |
1986年 | 34篇 |
1985年 | 30篇 |
1984年 | 19篇 |
1983年 | 24篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 31篇 |
1980年 | 41篇 |
1979年 | 23篇 |
1977年 | 5篇 |
1976年 | 7篇 |
1959年 | 31篇 |
1951年 | 32篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
72.
73.
74.
介绍了高水头弧形闸门止水型式,在此基础上,论述了突扩门槽的水力学问题。结合一些国内工程实例,探讨了高水头闸门常用的3种止水型式(偏心铰压紧式、液压伸缩式、滑动转铰式)的结构特点和适用范围。 相似文献
75.
76.
77.
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。 相似文献
78.
79.
A three-dimensional model was developed to investigate the influence of various hot filaments parameters on substrate temperature fields that significantly affect the nucleation and growth of diamond films over large area by hot-filament chemical vapordeposition (HFCVD). Numerical simulated results indicated that substrate temperature varies as a function of hot filamentsnumber, radius, temperature, emissivity, the distance between filaments, and the distance between substrate and filamentsarrangement plane. When these filaments parameters were maintained at the optimal values, the homogeneous substrate temperature region of 76 mm×76 mm with the temperature fluctuation no more than 5% could be obtained by a 80 mm×80 mmhot filaments arrangement plane. Furthermore, the homogeneous region could be enlarged to 100 mm×100 mm under thecondition of supplementary hot filaments with appropriate parameters. All of these calculations provided the basis for speciallyoptimizing the hot filaments parameters to dep 相似文献
80.