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31.
We demonstrate pulsed THz emission and detection in low temperature (LT) MBE grown Be-doped InGaAs/InAlAs multi-nanolayer structures for an excitation wavelength of 1030 nm. We obtained spectra with a bandwidth of up to 3 THz. Furthermore, we performed differential transmission experiments to investigate the material’s relaxation time constants.  相似文献   
32.
Bistable two-section Fabry-Perot lasers with a saturable absorber have been fabricated, comprehensively characterized, and optimized with respect to gain and optical switching contrast. Best device performance requires the individual optimization of both section lengths, and a proper choice of current conditions. Light has to be injected into the gain section, instead of the absorber section, to take full advantage of device qualities. Based on this optimization high, all optical switching gain (26 dB) and large contrast (18 dB) have been achieved simultaneously  相似文献   
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