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941.
Ajith Kumar  K. K.  Srinivasan  A.  Pillai  U. T. S.  Pai  B. C.  Chakraborty  M. 《SILICON》2022,14(15):9499-9515
Silicon - The present work aims at understanding the microstructure and mechanical property correlation of hypo (Mg-0.5, 0.7, 1.15 wt% Si) and hyper (Mg-2, 4, 6, 8 and 10 wt% Si) eutectic binary...  相似文献   
942.
Patnaik  Lokeswar  Maity  Saikat Ranjan  Kumar  Sunil 《SILICON》2022,14(15):9617-9634
Silicon - Silicon (Si) and silver (Ag) doped amorphous carbon (a-C) thin film were deposited on chrome nitrided 316 LVM stainless steel using filtered cathodic vacuum arc (FCVA) deposition...  相似文献   
943.
Kumar  Sachin  Yadav  Dharmendra Singh 《SILICON》2022,14(15):9291-9304
Silicon - Accumulation of trap charges at the semiconductor and oxide interface is the most dominating factor and cannot be neglected as it degrades device performance and reliability. This...  相似文献   
944.
Wighmal  Kosheen  Peddi  Giridhar  Apoorva  Kumar  Naveen  Amin  S. Intekhab  Anand  Sunny 《SILICON》2022,14(11):5951-5959
Silicon - Through this paper, we discuss how Tunnel Field Effect Transistors can be utilized for the detection of biomaterials hence acting as a biosensor. The device proposed is a 3-D Doping less...  相似文献   
945.
Kumar  Prashant  Vashisht  Munish  Gupta  Neeraj  Gupta  Rashmi 《SILICON》2022,14(11):6261-6269
Silicon - Stacked Dielectric Triple Material Cylindrical Gate All Around (SD-TM-CGAA) Junctionless MOSFET has been explored for low power applications. This paper presents an analytical model of...  相似文献   
946.
Kumar  E. Sathish  Kumar  P. Suresh 《SILICON》2022,14(13):7623-7631
Silicon - Advances in microelectronics have enabled smaller technical nodes, lower threshold voltages, and greater working frequencies. Even though VLSI circuit performance and power consumption...  相似文献   
947.
Chugh  Nisha  Kumar  Manoj  Haldar  Subhasis  Bhattacharya  Monika  Gupta  R.S. 《SILICON》2022,14(3):1029-1038
Silicon - In the present communication, for the first time, applicability of Field Plate (FP) for Double Channel (DC) AlGaN/GaNHEMT is demonstrated. Impact of design space parameters such as field...  相似文献   
948.
Ammonia electrooxidation reaction involving multistep electron-proton transfer is a significant reaction for fuel cells, hydrogen production and understanding nitrogen cycle. Platinum has been established as the best electrocatalyst for ammonia oxidation in aqueous alkaline media. In this study, Pt/nitrogen-doped graphene (NDG) and Pt/tungsten monocarbide (WC)/NDG are synthesized by a wet chemistry method and their ammonia oxidation activities are compared to commercial Pt/C. Pt/NDG exhibits a specific activity of 0.472 mA∙cm–2, which is 44% higher than commercial Pt/C, thus establishing NDG as a more effective support than carbon black. Moreover, it is demonstrated that WC as a support also impacts the activity with further 30% increase in comparison to NDG. Surface modification with Ir resulted in the best electrocatalytic activity with Pt-Ir/WC/NDG having almost thrice the current density of commercial Pt/C. This work adds insights regarding the role of NDG and WC as efficient supports along with significant impact of Ir surface modification.  相似文献   
949.
Kavimani  V.  Gopal  P. M.  Sumesh  K. R.  Kumar  N. Vimal 《SILICON》2022,14(1):65-73
Silicon - Recycling and reutilization of industrial waste is one way to minimize land pollution to attain green environment. In this research waste SiC grinding wheel was ball milled to powder form...  相似文献   
950.
Das  Satish K.  Nanda  Umakanta  Biswal  Sudhansu M.  Pandey  Chandan Kumar  Giri  Lalat Indu 《SILICON》2022,14(6):2965-2973
Silicon - Short channel effects (SCEs) along with mobility degradation has a great impact on CMOS technology below 100 nm. These effects can be overcome by using gate and channel...  相似文献   
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