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NMR束缚流体体积确定方法及其应用条件 总被引:4,自引:2,他引:2
NMR测井不能直接测定束缚流体饱和度(Swir)和束缚总流体(BVI)体积,而是根据T1分布和有效孔隙度(φe)间接确定。其精度取决于解释T2分布所选用的方法及其相关参数。NMR测井确定VBI方法有T21截止值方法,频谱BVI(简称SBVI)方法和BVI加权函数方法。 相似文献
104.
预应力钢-混凝土组合梁的应用与研究 总被引:1,自引:0,他引:1
回顾了预应力钢 混凝土组合梁国内外应用与研究历史 ,分析了现有规范及理论的不足 ,并指出了有待解决的问题。 相似文献
105.
采用二甲苯为溶剂,将不同乙烯含量(5% ̄15%质量)的抗冲聚丙烯用特定程序进行分级,将各样品分为室温下可溶于甲苯和不可溶于甲苯的两部分。使用^13C-NMR方法和FT-IR方法对各组分进行表征,明确了乙烯链段在聚丙烯链上的分布,并在此基础上提出了产生这种链结构的聚合工艺的特点。 相似文献
106.
Chao-Chi Hong Jenn-Gwo Hwu 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(6):408-410
The current-voltage (I-V) characteristics of metal-oxide-semiconductor tunneling diodes distributed over a 3-in Si wafer were analyzed to investigate the stress distribution on the wafer. Generally, the substrate injection saturation current (J/sub sat/) decreases as the gate injection leakage current (J/sub g/) increases, the latter being dominated by oxide thickness via a trap related mechanism. A universal curve to fit all analyzed data was found and it is suggested that devices with extremely high (low) J/sub sat/ at a given J/sub g/ should be located in areas of the silicon lattice with relatively high external compressive (tensile) stress because of the stress-induced bandgap variation effect. The mapped locations of the highly stressed devices on a 3-in [100] Si wafer correspond to the patterns of slips caused by thermal stress during rapid thermal processing, as described in previous reports. 相似文献
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螺旋翅片管的换热计算 总被引:1,自引:0,他引:1
本文引入区域平均表面传热系数的概念。在实验研究的基础上进行了肋基和肋端温度分布预测及肋片换热数值计算。 相似文献
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