全文获取类型
收费全文 | 33270篇 |
免费 | 2387篇 |
国内免费 | 1206篇 |
专业分类
电工技术 | 1505篇 |
综合类 | 1924篇 |
化学工业 | 5916篇 |
金属工艺 | 1563篇 |
机械仪表 | 1895篇 |
建筑科学 | 2998篇 |
矿业工程 | 610篇 |
能源动力 | 1050篇 |
轻工业 | 2052篇 |
水利工程 | 479篇 |
石油天然气 | 1812篇 |
武器工业 | 210篇 |
无线电 | 4062篇 |
一般工业技术 | 4377篇 |
冶金工业 | 1790篇 |
原子能技术 | 435篇 |
自动化技术 | 4185篇 |
出版年
2024年 | 106篇 |
2023年 | 444篇 |
2022年 | 735篇 |
2021年 | 1098篇 |
2020年 | 841篇 |
2019年 | 721篇 |
2018年 | 792篇 |
2017年 | 931篇 |
2016年 | 853篇 |
2015年 | 1108篇 |
2014年 | 1442篇 |
2013年 | 1861篇 |
2012年 | 1962篇 |
2011年 | 2127篇 |
2010年 | 1784篇 |
2009年 | 1791篇 |
2008年 | 1744篇 |
2007年 | 1726篇 |
2006年 | 1772篇 |
2005年 | 1599篇 |
2004年 | 1100篇 |
2003年 | 987篇 |
2002年 | 979篇 |
2001年 | 830篇 |
2000年 | 909篇 |
1999年 | 979篇 |
1998年 | 970篇 |
1997年 | 785篇 |
1996年 | 783篇 |
1995年 | 641篇 |
1994年 | 499篇 |
1993年 | 456篇 |
1992年 | 311篇 |
1991年 | 228篇 |
1990年 | 230篇 |
1989年 | 161篇 |
1988年 | 130篇 |
1987年 | 92篇 |
1986年 | 73篇 |
1985年 | 52篇 |
1984年 | 45篇 |
1983年 | 31篇 |
1982年 | 32篇 |
1981年 | 19篇 |
1980年 | 19篇 |
1979年 | 10篇 |
1977年 | 10篇 |
1976年 | 12篇 |
1973年 | 8篇 |
1970年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 93 毫秒
161.
摘要 用溶胶凝胶法制备六铝酸盐催化剂LaMnFe2Al9O19,通过BET、XPS、XRD等技术,对催化剂的结构和性质进行了研究,主要考察了在制备过程中不同的醇做溶剂对催化剂结构及其甲烷催化燃烧活性的影响。结果表明:不同醇做溶剂所制备的催化剂LaMnFe2Al9O19 在1200℃焙烧后都可以形成完整的六铝酸盐晶型,且具有较高高温稳定性。同时对于催化剂的的催化性能也有较大的影响,用异丙醇做溶剂所得催化剂的催化活性最高,并保持了较大的比表面积。 相似文献
162.
本文介绍了一种用于成品钢管生产线上的悬臂式钢管喷印装置,它是一台结构和功能都较复杂的大型机电一体化设备。文中简介了它的性能、特点和工作原理,对其各部分机械装置的构成及动作以及喷印控制系统的组成和功能进行了较为深入的描述。 相似文献
163.
针对炼铁厂炼焦车间贮煤塔和开闲器驱动装置存在故障频繁,堵煤、开闭器易损坏和吹风管堵塞等问题,通过分析并结合实际情况,将煤塔漏嘴由27只减为9只双曲线形状漏嘴,开闭器驱动装置由车载驱动改为固定驱动。改造后,解决了使用中堵煤及开闭器驱动装置损坏等问题,降低了设备故障率,减少了生产成本,增加了装煤量,满足了生产需要。 相似文献
164.
165.
166.
用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5 μm会发生周期性变化 相似文献
167.
169.
本文研究了对流扩散方程的离散技术,并进行了大量数值实验。研究表明,scharfetter—Gummel的广义形式可以良好地消除内部的非物理振荡,且对边界层生成振荡的传播有抑制作用,但不能有效地消除边界层振荡。 相似文献
170.
研究了2K低温下非有意掺杂InP单晶的光致发光谱,对近带边的辐射跃迁进行了仔细分析,报道了InP单晶在大功率光激发时束缚于中性施主的激子跃迁发光相对减弱、而束缚于中性受主的激子跃迁发光相对增强的现象,并探讨了其机制,确认了材料中存在Mg、Zn等残余受主杂质,并计算得到Mg受主的离化能为41.5meV. 相似文献