首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   95161篇
  免费   9404篇
  国内免费   5375篇
电工技术   7062篇
技术理论   4篇
综合类   7069篇
化学工业   14551篇
金属工艺   5181篇
机械仪表   6200篇
建筑科学   8237篇
矿业工程   2858篇
能源动力   2797篇
轻工业   6508篇
水利工程   2065篇
石油天然气   4868篇
武器工业   1198篇
无线电   11629篇
一般工业技术   10152篇
冶金工业   4293篇
原子能技术   1296篇
自动化技术   13972篇
  2024年   423篇
  2023年   1478篇
  2022年   3013篇
  2021年   4306篇
  2020年   3108篇
  2019年   2456篇
  2018年   2740篇
  2017年   3088篇
  2016年   2792篇
  2015年   4065篇
  2014年   5032篇
  2013年   6092篇
  2012年   7077篇
  2011年   7434篇
  2010年   6589篇
  2009年   6381篇
  2008年   6213篇
  2007年   5695篇
  2006年   5476篇
  2005年   4741篇
  2004年   3162篇
  2003年   2355篇
  2002年   2247篇
  2001年   1928篇
  2000年   1916篇
  1999年   1788篇
  1998年   1444篇
  1997年   1206篇
  1996年   1175篇
  1995年   989篇
  1994年   736篇
  1993年   645篇
  1992年   483篇
  1991年   330篇
  1990年   319篇
  1989年   219篇
  1988年   181篇
  1987年   127篇
  1986年   105篇
  1985年   65篇
  1984年   56篇
  1983年   36篇
  1982年   42篇
  1981年   33篇
  1980年   33篇
  1979年   14篇
  1978年   11篇
  1977年   11篇
  1976年   15篇
  1973年   10篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
This paper proposes a novel low-leakage BiCMOS deep-trench (DT) diode in a 0.18-/spl mu/m silicon germanium (SiGe) BiCMOS process. By means of the DT and an n/sup +/ buried layer in the SiGe BiCMOS process, a parasitic vertical p-n-p bipolar transistor with an open-base configuration is formed in the BiCMOS DT diode. Based on the two-dimensional (2-D) simulation and measured results, the BiCMOS DT diode indeed has the lowest substrate leakage current as compared to the conventional p/sup +//n-well diode even at high temperature conditions, which mainly results from the existence of the parasitic open-base bipolar transistor. Considering the applications of the diode string in electrostatic discharge (ESD) protection circuit designs, the BiCMOS DT diode string also provides a good ESD performance. Owing to the characteristics of the low leakage current and high ESD robustness, it is very convenient for circuit designers to use the BiCMOS DT diode string in their IC designs.  相似文献   
102.
电力电子技术应用日益广泛,同时也带来严重的谐波污染和电磁干扰。本文介绍了电力电子在电磁兼容和谐波抑制方面的绿色变换技术。同时还就绿色电源产业的形成和绿色电源产品要求作了简要说明。  相似文献   
103.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。  相似文献   
104.
基于CAN总线的舵机控制系统设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
绳涛 《现代电子技术》2004,27(24):62-63,68
主要介绍了一种基于CAN总线的舵机控制系统。系统以CAN总线作为通信方式,PWM控制信号通过硬件方式产生,具有结构简单、信号稳定和实时性强的特点。  相似文献   
105.
由PDS的特点入手,结合工程实践的应用情况,阐明了3D软件可以更广泛的应用于配管的设计中,强调了以3D模型为中心开展设计和管理的新模式.  相似文献   
106.
许参  艾晓辉  王超 《电子器件》2003,26(2):122-124
设计了GMSK(Gauss Minimum Shift Keying,高斯最小频移键控)无线接收终端的硬件与软件系统。硬件的射频电路对空中信号进行接收与滤波,再由以MX589构成的解调模块解调,输出数字信号;数字硬件以单片机GMS97L5为核心。软件系统设计了对IC卡AT88SCl608加密卡的认证以及对串行数据的接收与处理的中断程序。终端系统接收数据快、性能稳定。  相似文献   
107.
软印刷技术     
软印刷技术是基于弹性体印章/模具来转移图形结构的微纳加工技术。详细介绍了软印刷技术中转移图形结构的多种方式,并探讨软印刷技术在微纳电子学、光学、传感器、生物等领域的广泛应用。对软印刷技术的弹性体印章/模具制备、聚二甲基硅氧烷的属性、理论研究等进行了探讨。  相似文献   
108.
介绍了在波分复用(WDM)系统中分布式光纤拉曼放大器(FRA)的理论分析模型。在此基础上,对增益平坦设计所需考虑的因素进行了分析;最后通过试验证明了它的有效性。  相似文献   
109.
研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.  相似文献   
110.
基于子波变换的涡街流量传感器信号分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
张涛  吴鹏 《计量学报》2003,24(3):199-201
长期以来 ,如何提取潜在噪声下的涡街流量信号一直是个问题。流体流速脉动 ,局部阻力 ,随机振动———所有这些因素都给解决这一问题带来难度。文章应用子波变换消噪理论 ,从软件滤波的角度分析了强噪声干扰下的涡街流量信号 ,并提出了单支重构计数方法。分析结果表明 ,这种方法对低流速流量计量效果很好 ,能够有效地扩展量程下限  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号