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Tan Fu Lei Tang Po Chen Horng-Chih Lin Chun-Yen Chang 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1995,42(12):2104-2110
A new material, Si-B, is proposed as a solid diffusion source for fabrication of poly-Si contacted p+-n shallow junctions. The junction depth of the Si-B source diode has been measured and compared with that of a BF2+-implanted poly-Si source diode. It was found that the Si-B source diode had a much shallower junction and was less sensitive to thermal budget than the BF2+ source diode. This was attributed to the smaller surface concentration and diffusivity of boron in the silicon in Si-B source diodes. Regarding electrical characteristics of diodes with a junction depth over 500 Å, a forward ideality factor of better than 1.01 over 8 decades and a reverse-current density lower than 0.5 nA/cm2 at -5 V were obtained. As the junction depth shrank to 300 Å, the ideality factor and reverse current density of diodes increased slightly to 1.05 and 1.16 nA/cm2, respectively. These results demonstrated that a uniform ultrashallow p+-n junction can be obtained by using a thin Si-B layer as a diffusion source 相似文献
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W.K ChiuS.T Tan 《Computer aided design》2002,34(13):997-1010
In many applications the location of the centre of gravity of a mechanical part is an important factor that a designer must consider. If it is not in a desired location, a part might not work properly, e.g. unbalanced force might be generated in a rotational part. After a part is modeled, its centre of gravity cannot be altered unless its external shape or internal mass distribution is changed. However, the external shape is usually constrained by other design considerations. In this paper, an algorithm is proposed for controlling the centre of gravity of a hollowed part. Using this algorithm, the location of the centre of gravity of a part is controlled by changing its internal mass distribution. 相似文献
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Dasgupta U. Wooi Gan Yeoh Chun Geik Tan Sheng Jau Wong Mori H. Singh R. Itoh M. 《Microwave Theory and Techniques》2002,50(11):2443-2452
An implementation of the IF section of WCDMA mobile transceivers with a set of two chips fabricated in an inexpensive 0.35-/spl mu/m two-poly three-metal CMOS process is presented. The transmit/receive chip set integrates quadrature modulators and demodulators, wide dynamic range automatic gain control (AGC) amplifiers, with linear-in-decibel gain control, and associated circuitry. This paper describes the problems encountered and the solutions envisaged to meet stringent specifications, with process and temperature variations, thus overcoming the limitations of CMOS devices, while operating at frequencies in the range of 100 MHz-1 GHz. Detailed measurement results corroborating successful application of the new techniques are reported. A receive AGC dynamic range of 73 dB with linearity error of less than /spl plusmn/2 dB and spread of less than 5 dB for a temperature range of -30/spl deg/C to +85/spl deg/C in the gain control characteristic has been measured. The modulator measurement shows a carrier suppression of 35 dB and sideband/third harmonic suppression of over 46 dB. The core die area of each chip is 1.5 mm/sup 2/. 相似文献
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86.
87.
空间桁架结构拓扑优化设计的线性规划方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文以杆件内力为设计变量,构造了多工况作用下空间桁架结构拓扑优化的线性规划模型,考虑了应力和位移约束,能够避免奇异最优拓扑和不稳定结构的产生。 相似文献
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从理论和实验两方面对静电感应晶体管(BSIT)的开关时间进行了分析和测量,提出了简单的分析方法,将影响BSIT开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子,从而简化了分析影响BSIT开关时间的因素,对于BSIT的实际工艺,结构设计有指导意义。 相似文献
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数据压缩的综合字典模型 总被引:2,自引:0,他引:2
谭兆信 《计算机工程与设计》1997,18(1):10-15
文中提出一种无损的数据压缩的字典方法,被称为综合字典方法,该方法在较大程度上消除数据文件中多种形式的冗余,达到较好的压缩效果。 相似文献
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