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当地弹性地基梁法计算非岩石地基的水闸底板应力时,首先要求解出不平衡剪力,当闸墩截面选择梯形时(主要是边墩),常用方法是作图法,这既有误差又繁琐。所以就此推导出一个公式,可直接求解平衡剪力。 相似文献
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本文结合为某机械厂开发的实用计算机辅助工艺设计系统(JJCAPP),论述了一种兼有派生式和创成式特点的综合式工艺自动设计方法. 相似文献
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GaN buffer and main layers were grown by the conventional hydride vapor phase epitaxy technique using GaCl3 consecutively. The deposited buffer layers were investigated by atomic force microscopy and X-ray analysis. To examine the behavior of the buffer layers at main layer growth temperature, heat treatment was conducted at 900°C. Based on the results of the buffer layer study, GaN thick films were grown at 1050°C. Optimum deposition conditions of buffer layer from the buffer and main layer studies generally coincided. On the φ scanning pattern, the GaN films grown on (0001) Al2 O3 were single-crystalline. Band-edge emission dominated photoluminescence was observed at room temperature. 相似文献
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由于悬空侧壁部分的变形状态是圆锥形零件成形的关键,而径向拉应力是实现悬空部分成形的必要条件,同时也是该部分冲压成形成败的关键为此,经力学分析得出了侧壁部分径向拉应力的解析式和造成圆锥形零件破裂的最大径向拉应力的计算式。同时分析了圆锥形零件的成形载荷。 相似文献
85.
针对小卫星自主管理与自主决策的要求,简单介绍了多Agent技术和ObjectAgent开发环境,并以某小卫星为例,研究并设计了基于ObjectAgent的小卫星星务系统,给出了所涉及的Agent的自主决策、任务调度、信息交互等一系列问题的解决方案,最后,利用多台PC机组网进行了仿真,达到了预期的实验效果。 相似文献
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《建设工程工程量清单计价规范》的颁布实施,是工程建设领域的一件大事,为了更好的推行和施行计价规范,应做好多方面的工作。 相似文献
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Degradation Behaviors of Metal-Induced Laterally Crystallized n-Type Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under DC Bias Stresses 总被引:1,自引:0,他引:1
Min Xue Mingxiang Wang Zhen Zhu Dongli Zhang Man Wong 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2007,54(2):225-232
Device degradation behaviors of typical-sized n-type metal-induced laterally crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors were investigated in detail under two kinds of dc bias stresses: hot-carrier (HC) stress and self-heating (SH) stress. Under HC stress, device degradation is the consequence of HC induced defect generation locally at the drain side. Under a unified model that postulates, the establishment of a potential barrier at the drain side due to carrier transport near trap states, device degradation behavior such as asymmetric on current recovery and threshold voltage degradation can be understood. Under SH stress, a general degradation in subthreshold characteristic was observed. Device degradation is the consequence of deep state generation along the entire channel. Device degradation behaviors were compared in low Vd-stress and in high Vd-stress condition. Defect generation distribution along the channel appears to be different in two cases. In both cases of SH degradation, asymmetric on current recovery was observed. This observation, when in low Vd-stress condition, is tentatively explained by dehydrogenation (hydrogenation) effect at the drain (source) side during stress 相似文献