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991.
从中国火电基本都是燃煤机组的国情出发,考虑在电力市场实行以后,调度中心不能直接从发电机组获得机组煤耗函数的具体情况,利用二氧化碳(CO2 )的排放量函数代替能耗函数,设计了考虑电力市场与节能调度相互协调的机组组合模型,并利用拉格朗日松弛法对模型进行求解。利用发电机组报价体现机组的发电意愿,以及能耗反映电力系统降耗和减排的要求,依靠报价权重因子的迭代选取决定机组组合方案。利用测量数据依靠多项式曲线拟合技术对排放量函数进行逼近,分析了不同测量误差对机组组合的影响。计算结果表明,建立的机组组合模型与机组组合方案能较好地实现能耗指标与经济指标的相互协调,具有广阔的实际应用前景。  相似文献   
992.
本文介绍TSP203p lus的原理及其在某水电站辅助洞工程超前地质预报上的实际应用情况,通过对比分析论证了TSP203p lus超前地质预报系统在隧道超前地质预报中的有效性,展示了TSP203p lus超前地质预报系统在深埋深长隧道、高压岩溶地下水下的隧道超前预报的广阔应用前景。  相似文献   
993.
选择性波峰焊技术是SMT技术中新兴发展的技术,它的出现较大的满足了高密度多样性混装PCB板的组装要求。选择性波峰焊具有焊点参数单独设置,对PCB热冲击小,助焊剂喷涂量少,焊接可靠性强等优点,正逐渐成为复杂PCB不可或缺的焊接技术。通过查阅大量资料,综述了选择性波峰焊技术的优势和其在SMT领域内的应用及其设备的维护。  相似文献   
994.
大气中激光烧蚀铝靶冲量耦合系数实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了激光与铝靶相互作用过程中,大气中激光功率密度与铝靶获得的冲量耦合系数的关系,通过改变激光聚焦在靶面上的光斑大小,得到冲量耦合系数与激光功率密度的关系。实验结果表明,当入射激光功率密度为3.47×106W/cm2时,铝靶获得的冲量耦合系数最高。该入射激光功率密度最佳值与理论计算值6.14×106W/cm2符合得较好。用激光支持爆轰波(LSDW)与固体靶相互作用的二维模型理论计算得到的冲量耦合系数与实验结果比较,二者趋势相同,定量比较有较大差别,原因是所用激光光斑面积偏大,不能按照该理论的点爆炸模型来计算。  相似文献   
995.
本文在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于MOCVD外延n -GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm。此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅。由于器件尺寸的缩小,Vgs= 1 V下器件最大饱和电流(Ids)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm。小信号测试表明,器件fT达到220 GHz、最大振荡频率(fmax)达到48 GHz。据我们所知,该fT值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果。  相似文献   
996.
针对非确定马尔可夫环境下的多智能体系统,提出了一种新的基于统计的多智能体Q学习算法,该算法将统计学习与增强学习有机结合,有效地解决了智能体环境部分感知、信息不确定以及其他智能体行为策略学习的问题,经RoboCup仿真实验证明该算法具有较强的自适应能力和学习效率。  相似文献   
997.
通过比较短路电流的方法,标定了探测器对He-Ne激光的响应度。用Nd∶YAG激光辐照PIN光电探测器,通过测量激光辐照后探测器对He-Ne激光的短路电流,获得了探测器响应度变化与辐照激光功率密度的关系。从实验数据可知,探测器被功率密度低于7.6×105 W/cm2的Nd∶YAG激光辐照后,不会发生损伤,激光辐照后,探测器对He-Ne激光的响应度不发生改变;当Nd∶YAG激光的功率密度超过9.6×105 W/cm2时,激光辐照后,探测器对He-Ne激光辐照的响应度开始下降,PN结遭到破坏是探测器响应度下降的根本原因,扫描电镜的结果与我们的分析相一致。  相似文献   
998.
为了使传统的角度缓存区(AZB)算法易于程序化,有效地降低其复杂程度,提高运算速度,提出其改进算法.该算法基于二维平面,对辐射源及等效辐射源辐射空间进行分区、判断多面体自身遮挡和互遮挡的面及棱、对多面体进行前后排序、进行遮挡测试等,从而实现三维射线跟踪.将该算法运用于移动通信基站,编制程序进行计算,场强计算结果与实际测量结果符合很好,误差在5dB之内,说明对传播路径的搜索是完善的,没有遗漏.该软件可以运用于电磁环境测评.  相似文献   
999.
采用溶胶—凝胶法在普通玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO:A1)薄膜,利用XRD、SEM、紫外—可见光谱和光致发光光谱对所制备的AZO薄膜进行了表征,研究了ZAO薄膜的结构和光学性能.结果表明:ZAO薄膜的微晶晶相与ZnO一致,且具有c轴择优取向;ZAO薄膜在可见光区的透过率超过了88%,在350~575 nm范围内有强的...  相似文献   
1000.
基于0.6μm CMOS混合信号工艺设计了一款高稳定度、宽电源电压范围的晶体振荡器芯片。该芯片片内集成具有优异频率响应的振荡器电容和反馈电阻,只需外接石英晶体即可提供高稳定时钟源。测试结果表明:芯片最高工作频率可达40MHz;在振荡频率12MHz、负载电容15pF、电源电压从2.7V到5.5V变化时其频率随电源电压变化率小于1×10-6;电源电压为5V时芯片消耗总电流小于4mA。  相似文献   
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