《青娥》赏析--富于童话色彩的爱情

《聊斋志异》中的《青娥》一篇充满了浓郁的童话色彩，贯穿主人公爱情生活的始终是纯洁执着的赤子情怀，爱情充满了青春的芬芳和清新的童趣，而波折和迂回中始终不离主人公的至情和至孝。     

低效气藏成因层次剖析

由于我国低效气藏的储量所占比例很大，故而有必要对其进行深入研究，形成适合于不同层面的研究方法和思路，以期达到指导勘探开发生产的目的。为此，将低效气藏剖析为四个层面（气藏开发特征层面、现有地质特征层面、历史地质成因层面、预测及改造层面），并用层次分析法对其进行了研究：第一层次是直接由生产来认识，第二层次通过分析、化验、监测来了解，第三层次通过地质过程和地质历史回溯来表述，第四层次依据现有地质理论，通过地质过程叠合，最终达到预测、改造、有效动用低效气藏的目的。研究结果认为，可以依据不同层次特征对低效气藏进行分类评价：第一层次从经济效益出发，依据投入产出比进行分类；第二层次着眼气藏现今地质特征，表征其地质特征，而储层分布、渗透性则为分类的主要依据；第三层次从气藏形成地质过程着手，分析低效气藏形成过程，沉积和成岩作用作为分类的关键因素；第四层次基于气藏地质特征，预测开发动态，改造气藏特征，促使气藏有效动用。     

中国城市土地利用结构优化研究述评

城市土地利用结构的确定和优化是城市总体规划的核心内容，从土地使用制度变迁，学科交叉，数理模型方法三方面回顾了中国城市土地利用结构优化研究的发展历程，分析了中国城市土地利用结构优化研究的新气象。在此基础上，指出当前研究工作的不足和问题，并提出未来研究的方向。     

罗坡坝水电站泄水建筑物设计及试验研究

罗坡坝水电站拱坝设置有三个溢流表孔,中间孔高程低于两侧的孔,三个泄水孔设有差动式挑坎。通过模型试验表明,不发生危及岸坡稳定的泄流雾化问题,此外,适当控制泄流水舌射程可以减少坝下冲坑深度,消能效果良好。     

现代超细粉碎技术在刺五加生产中的应用

阐述了现代超细粉碎技术基本原理及特点及其在刺五加生产中的应用,论述了在相同压力不同转速下和压缩空气压力以及破碎次数对粒度分布特性的影响。通过实验数据分析得出以下结论:破碎粒度随着压力的增大而减小,但当压力增大到一定值时,破碎粒度反而增大;随着转速的增大,破碎粒度变小;随着破碎次数的增加,粒度分布范围变窄,随后又变宽。     

以硅氧烷醇锂为催化剂的氟硅生胶的合成

介绍了单体三氟丙基甲基环三硅氧烷通过硅氧烷醇锂催化剂聚合成氟硅生胶,讨论了不同催化剂及其用量,原料中水分含量、不同乙烯基含量对氟硅生胶分子量的影响.     

压力铸造的现状与发展

概述了压力铸造技术的特点，总结了目前中国压铸与国外的差距，分析了我国压铸业面临的机遇和挑战，论述了压力铸造技术的新工艺，以及今后压力铸造的研发方向。     

超低渗广谱油层保护技术在板深51区块的应用

板深51区块存在压力敏感地层，在非目的层井段存在大段高渗低压砂岩，而目的层又属于高压低渗地层，属于难采油气田。室内进行的砂床滤失量、砂床封堵带承压能力、岩心封堵带的承压能力及油气层保护效果实验表明，在超低渗钻井液中增加固相含量，能够提高超低渗透膜结构强度，提高地层承压能力，降低砂床侵入深度，增强保护油气层效果，而且有选择性地增加有用固相效果更佳。基于这一理论，研究成功了超低渗广谱屏蔽暂堵油层保护技术，并在板深51区块长22—15井和长23—17K井进行了试验应用。该技术的关键是依据地层特性确定复配暂堵剂。长22-15井和长23-17K井射孔后未经过压裂、酸化、排液处理，获自喷高产，尤其是长22-15井形成自喷油流，创油田单井试采产量最高记录。应用结果表明，超低渗广谱保护油气层钻井液技术封堵隔层的承压能力强，很大程度地提高了漏失层的承压能力和破裂压力，较好地解决了含多套压力层系长裸眼段钻井过程中发生的漏失、井喷、卡钻、油气层保护等技术难题。     

High quality gate dielectrics formed by rapid thermal chemical vapor deposition of silane and nitrous oxide

In the present study, we have performed electrical characterization of oxides deposited via rapid thermal chemical vapor deposition using SiH₄ and N₂O. We have investigated the effect of temperature, pressure, and SiH₄ to N₂O ratio on the electrical and material properties of as-deposited films. We have found that as-deposited oxides deposited at low temperatures, low pressures, and with a low silane to nitrous oxide ratio of ～0.5% give good material and electrical properties. The as-deposited films are stoichiometric in nature and have high deposition rates. As-deposited films had very low D_it values, high breakdown fields, and excellent subthreshold swing. The leakage currents and metal oxide semiconductor field effect transistor current drive, although lower than thermal oxides, were found to be quite acceptable. We have also investigated the thickness dependence of the films and found that as the film thickness is reduced below 50Å, the reliability improves for all oxides including the silicon-rich deposited oxides.