新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

Cif2000平台下的核磁共振测井解谱方法研究

介绍了在Cif2000多井解释平台下的核磁共振解谱方法与编程实现。解谱采用加入平滑因子后在特征矩阵的奇异值分解中截去小的非零奇异值的方法，可以在低信噪比时得到稳定的弛豫谱，在油田实际应用中证明了该方法的有效性。根据该方法在Cif2000平台上编制了完整的解谱处理程序，可以直接用于油田的生产实际。     

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钻井液润滑剂是一种重要的钻井液化学处理剂，它的作用是改善钻井液润滑性，降低井壁与钻具（或套管）之间的磨擦，降低钻柱旋转扭矩和起下钻阻力，从而减少卡钻事故的发生。文章根据目前使用的白油钻井液润滑剂存在的不足，提出研制一种新型白油钻井液润滑剂。通过正交实验优选了润滑剂配方。经室内实验和现场实验证明该产品润滑性能好，与钻井液配伍性好，无毒性对环境影响小。     

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文中建立了套管、水泥环和地层互作用的弹塑性的有限元力学模型，用MSC.Marc软件的高度非线性功能对本文的复杂力学系统进行了一系列的计算机仿真模拟研究，为复杂地层套管破坏机理研究提供了简便，可行的方法。本方法可以反推地层载荷，为复杂地层套管破坏的预防措施提供了理论依据。     

第三代短波自动链路建立系统特性分析及仿真实现

分析了第三代短波自动链路建立系统的工作特性及技术特点，并对系统仿真实现的原则及一些细节问题进行了较深入的探讨，同时对仿真实现中涉及的链路质量分析（LQA）算法进行了研究。     

Asymptotic optimality of the GMD and Chase decoding algorithms

The generalized minimum distance (GMD) and Chase (1972) decoding algorithms are some of the most important suboptimum bounded distance decoding algorithms for binary linear block codes over an additive white Gaussian noise (AWGN) channel. We compute the limitation of the ratio between the probability of decoding error for the GMD or any one of the Chase decoding algorithms and that of the maximum-likelihood (ML) decoding when the signal-to-noise ratio (SNR) approaches infinity. If the minimum Hamming distance of the code is greater than 2, the limitation is shown to be equal to 1 and thus the GMD and Chase decoding algorithms are asymptotically optimum.     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively