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A 320×240 CMOS image sensor is demonstrated,which is implemented by a standard 0.6 μm 2P2M CMOS process.For reducing the chip area,each 2×2-pixel block shares a sample/hold circuit,analog-to-digital converter and 1-b memory.The 2×2 pixel pitch has an area of 40 μm×40 μm and the fill factor is about 16%.While operating at a low frame rate,the sensor dissipates a very low power by power-management circuit making pixel-level comparators in an idle state.A digital correlated double sampling,which eliminates fixed pattern noise,improves SNR of the sensor, and multiple sampling operations make the sensor have a wide dynamic range. 相似文献
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本文分析了相控阵机载预警(AEW)雷达杂波抑制的现有两种辅助通道降维技术(Klemm方法和简化方法)的性能,并提出了一种新的辅助通道方法。新方法的基本思想为:根据待处理距离段内各距离单元杂波能量在波束一多普勒域分布的统计特征自适应地选取辅助通道,使所选辅助通道实时地逼近杂波子空间,从而有效抑制杂波。本文方法不但可以用于非正侧视阵情况,而且误差鲁棒性好。计算机仿真结果证实了其有效性。 相似文献
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LIJuan HUAYu-lin WANGChang-sheng XIONGShao-zhen 《半导体光子学与技术》2004,10(1):41-43,47
The white organic light emitting device (OLED) with single-structure using a polymer blend as the light emitting layer is fabricated. Heat treatment is used to control the ratio between the intensities of main electroluminescent spectral peaks. The electroluminescent spectrum of our device is quite similar to that of white inorganic LED produced by Nichia Corporation after being annealed, and its turn-on voltage can be decreased by 1V. 相似文献
959.
The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively. 相似文献
960.
LILin LIUWen-li LUBin JUGuo-xian ZHANGYong-ming HAOYong-qin SUWei ZHONGJing-chang 《半导体光子学与技术》2004,10(3):179-181,193
Spectral and structural characteristics of distributed Bragg reflector (DBR) in vertical-cavity surface-emitting lasers were studied with photoluminescence and double- crystal X- ray diffraction measurement. The expected high quality epitaxial DBR structure was verified. In the X- ray double- crystal rocking curves of DBR the zeroth- order peak, the first and second order satellite peaks were measured. Splitting of diffraction peak appeared in the rocking curves was analyzed. The effects of introduced deep energy levels on the structural perfection and optical properties were discussed. 相似文献