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共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景。 相似文献
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热物理性质测试技术研究现状和发展趋势 总被引:3,自引:0,他引:3
本文在对热物理性质研究在热能工程、材料科学、信息科学、航天工程、环境工程、生物科学、微电子技术和计量学等众多科技领域中的重要性进行探讨的基础上,评述了热物理性质测试技术的研究现状和发展趋势。鉴于薄膜材料在微电子器件、集成电路和微电子机械系统等领域中日益广泛的应用,本文还综述了亚微米-纳米尺度薄膜材料热导率和热扩散率的测试新技术。 相似文献
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In this study, distribution and history of residual stresses in plaque-like geometries are simulated based on linear thermoviscoelastic
model, which helps to understand the mechanics and evolution of the residual stresses in the injection molding process. The
numerical calculation of direction, combined with the specified boundary conditions. Results show that the stress variation
across the thickness exhibits a high surface tensile value changing to a compressive peak value close to the surface, with
the core region experiencing a parabolic tensile peak. Residual stress distribution throughout the thickness is almost same
along the flowpath and the final residual stresses value near the gate is lower than the value near the end of flowpath. 相似文献
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X. X. Xi X. H. Zeng A. V. Pogrebnyakov A. Soukiassian S. Y. Xu Y. F. Hu E. Wertz Q. Li Y. Zhong C. O. Brubaker Z.-K. Liu E. M. Lysczek J. M. Redwing J. Lettieri D. G. Schlom W. Tian H. P. Sun X. Q. Pan 《Journal of Superconductivity and Novel Magnetism》2003,16(5):801-806
The recently discovered superconductor MgB2 with T c at 39 K has great potential in superconducting electronics. In this paper, we review the deposition techniques used for MgB2 thin films in the light of a thermodynamic study of the Mg-B system with the calculation of phase diagrams (CALPHAD) modeling technique. This thermodynamic study identifies a growth window in the pressure–temperature phase diagram, in which the magnesium pressure is very high for likely in situ growth temperatures. A Hybrid Physical–Chemical Vapor Deposition (HPCVD) technique that successfully achieves such a high Mg pressure is shown to produce in situ epitaxial MgB2 thin films with bulk superconducting properties. 相似文献
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钕电解阳极过电位的测定 总被引:2,自引:0,他引:2
用慢扫描示波法测定了钕电解的阳极过电位 .考察了温度、阳极电流密度、Nd2 O3添加量、电解质组成等因素对阳极过电位的影响 ,探讨了降低阳极过电位的可能途径 .结果表明 ,阳极过电位随阳极电流密度的增加而增大 ,随温度的升高而减小 ,一定范围内 ,阳极过电位与阳极电流密度的对数呈线性关系 ,满足塔菲尔方程 ;电解质中LiF和Nd2 O3浓度增加 ,阳极过电位降低 ;适当控制阳极电流密度、升高温度、增加电解质中LiF和Nd2 O3的浓度并尽可能减小极间距 ,均有利于降低阳极过电位 相似文献