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21.
甲醇氧化羰化制碳酸二甲酯产物气相色谱分析   总被引:6,自引:1,他引:5  
以Chromosorb 10 1为固定相 ,气相色谱法分析甲醇氧化羰化制碳酸二甲酯产物中水、甲醇、乙酸甲酯和碳酸二甲酯等组份的含量 ,考察了柱温 ,载气流量对分离度的影响 ,确定了适宜的分析条件 ,并用校正面积归一化法定量。该方法操作简便 ,快速 ,精度高 ,重现性好  相似文献   
22.
根据托海拱坝5号坝段、7号坝段例垂线实测资料分析,说明了新疆寒冷地区坝体采取聚胺脂喷涂施工措施后对坝体变形的影响,以及右坝肩渗漏对右坝肩岩体的影响,分析结果为托海水电站通过国家电力公司大坝安全监察中心大坝安全首次定检提供了科学依据。  相似文献   
23.
纳米α-FeOOH颗粒的形态和结构   总被引:3,自引:0,他引:3  
以硫酸法钛白的副产物绿矾为原料,采用滴加法制备纳米铁黄(α-FeOOH)颗粒。研究了反应体系的pH值、反应温度、通氧速率、搅拌速率和添加剂等对铁黄颗粒形态结构的影响,采用XRD、TEM等分析手段对颗粒进行表征。结果表明,调节体系pH值能控制铁黄晶型结构和色相;改变通氧速率、搅拌速率、添加剂种类以及反应温度等可以调节纳米α-FeOOH的大小和分散性。  相似文献   
24.
MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
从传统移相器的构造和原理出发,进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明,MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展,MEMS移相器介质损耗大幅度降低,将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上,便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。  相似文献   
25.
直接氯化法合成对硝基氯化苄   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了以对硝基甲苯和氯气为原料 ,在催化剂存在下合成对硝基氯化苄的方法 ,考察了催化剂种类、反应温度、溶剂配比等因素对反应的影响 ,优化的反应条件为 :对硝基甲苯用量 1 3 7g,对硝基甲苯 /邻二氯苯 (摩尔比 ) =1∶ 0 .6,w (偶氮二异丁腈 ) =0 .6% ,反应时间 3 h,反应温度 1 60℃ ,产物单程收率大于 65 % ;将反应混合物中未反应的原料分离后 ,以无水乙醇为溶剂结晶纯化 ,物料 /溶剂 (摩尔比 ) =1∶ 1 .5时晶体含量在 99.0 %以上 ,结晶收率达 67  相似文献   
26.
模糊数学识别火山岩岩性   总被引:7,自引:0,他引:7  
针对火岩地层岩性识别成功率低的状况,应用模糊数学原理,建立模糊数学识别火山岩岩性模式,识别和划分火山岩地层岩性,以便进一步深入研究火山岩油气藏储层,选择8个反映火山岩岩性测井参数,确定阈值;利用所建立的火山岩岩性识别模式,对火山岩岩性进行分类;依据最大隶属原则,识别火山岩岩性,应用实地研究资料,识别10种火山岩岩性,并与岩心鉴定统计分析结果对比,一致性达85%。表明该方法识别火山岩岩性精度较高,在地质上具有很好的应用前景。  相似文献   
27.
千米桥潜山构造特征及其在油气成藏中的作用   总被引:13,自引:4,他引:9  
千米桥潜山是黄骅坳陷最典型的新生古储型油气藏,恢复潜山古构造是认识其油气藏特征的重点和难点之一,运用地质力学方法研究潜山内幕构造之后认为,该潜山的形成基础是古生界印支期宽缓复背斜,在燕山期挤压构造作用下形成由逆冲叠瓦扇和反冲断层构成的三角带内幕构造,抬升受侵蚀形成潜山主体,喜马拉雅的两次古旋拉张使潜山掀斜定型。晚第三纪以来发生整体热沉降,潜山两侧凹陷沙三段生成油气向潜山侧向运移成藏。  相似文献   
28.
以FYX - 2G型高压搅拌釜为加氢反应器 ,测定了在不同搅拌器型式和搅拌转速下高压釜的持气量和反应效果 ,认识到α 蒎烯催化加氢是外扩散控制的反应 ,当搅拌转速为 6 0 0r/min时 ,基本上能消除外扩散的影响。考察了Raney镍和Pd/C催化剂、反应温度在 35 3~ 499K ,压力在 4 0~ 10MPa的条件下对α 蒎烯加氢转化率和选择性的影响 ,结果表明Raney镍更适宜于α 蒎烯催化加氢 ,其转化率随温度、压力增加而提高 ,但选择性下降。采用温度 35 3~ 433K、压力 4 0~ 7 0MPa的操作序列 ,克服了α 蒎烯加氢转化率与选择性互为逆向的缺点 ,缩短了反应时间 ,制得了顺反比高达 18 2∶1的蒎烷 ,并且发现加氢反应从温度 433K开始有副产物对烷生成 ,当温度超过 45 6K时 ,加氢过程还出现飞温现象。  相似文献   
29.
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively  相似文献   
30.
微晶合金在电流互感器中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
魏朝晖  邰利刚 《变压器》2002,39(5):14-17
从微晶合金的性能特点出发,分析了其在电流互感器中的应用前景。  相似文献   
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