全文获取类型
收费全文 | 238383篇 |
免费 | 25667篇 |
国内免费 | 16896篇 |
专业分类
电工技术 | 19842篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 21678篇 |
化学工业 | 31307篇 |
金属工艺 | 15005篇 |
机械仪表 | 15876篇 |
建筑科学 | 17915篇 |
矿业工程 | 7668篇 |
能源动力 | 6535篇 |
轻工业 | 24859篇 |
水利工程 | 7271篇 |
石油天然气 | 8378篇 |
武器工业 | 2597篇 |
无线电 | 28081篇 |
一般工业技术 | 23474篇 |
冶金工业 | 10355篇 |
原子能技术 | 3990篇 |
自动化技术 | 36113篇 |
出版年
2024年 | 1309篇 |
2023年 | 3801篇 |
2022年 | 8443篇 |
2021年 | 11037篇 |
2020年 | 8003篇 |
2019年 | 5762篇 |
2018年 | 6259篇 |
2017年 | 7324篇 |
2016年 | 6491篇 |
2015年 | 9911篇 |
2014年 | 12818篇 |
2013年 | 15386篇 |
2012年 | 18162篇 |
2011年 | 19192篇 |
2010年 | 18369篇 |
2009年 | 17468篇 |
2008年 | 17982篇 |
2007年 | 17559篇 |
2006年 | 15296篇 |
2005年 | 12715篇 |
2004年 | 9098篇 |
2003年 | 6382篇 |
2002年 | 6180篇 |
2001年 | 5695篇 |
2000年 | 4794篇 |
1999年 | 2987篇 |
1998年 | 2121篇 |
1997年 | 1807篇 |
1996年 | 1586篇 |
1995年 | 1322篇 |
1994年 | 1015篇 |
1993年 | 891篇 |
1992年 | 693篇 |
1991年 | 527篇 |
1990年 | 441篇 |
1989年 | 369篇 |
1988年 | 301篇 |
1987年 | 223篇 |
1986年 | 191篇 |
1985年 | 161篇 |
1984年 | 113篇 |
1983年 | 94篇 |
1982年 | 81篇 |
1981年 | 86篇 |
1980年 | 103篇 |
1979年 | 60篇 |
1978年 | 36篇 |
1977年 | 38篇 |
1976年 | 61篇 |
1951年 | 37篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
从稳态到动态的空气调节 总被引:1,自引:0,他引:1
分析传统空调所提供的稳态参数微气候环境不一定能达到人的舒适和健康的要求,提出符合人本身生理习惯的空调送风方式应该是动态空气调节.认为个人可调节和适宜的环境渐变能同时保证舒适和健康两方面需要. 相似文献
22.
高功率脉冲水中放电的应用及其发展 总被引:7,自引:0,他引:7
首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理,然后综合论述了其应用和研究的状况,从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术,以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究,最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。 相似文献
23.
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。 相似文献
24.
25.
Hao Wang Ying Lin Biao Chen 《Signal Processing, IEEE Transactions on》2003,51(10):2613-2623
We investigate non data-aided channel estimation for cyclically prefixed orthogonal frequency division multiplexing (OFDM) systems. By exploiting channel diversity using only two receive antennas, a blind deterministic algorithm is proposed. Identifiability conditions are derived that guarantee the perfect channel retrieval in the absence of noise. In the presence of noise, the proposed method has the desired property of being data efficient-only a single OFDM block is needed to achieve good estimation performance for a wide range of SNR values. The algorithm is also robust to input symbols as it does not have any restriction on the input symbols with regard to their constellation or their statistical properties. In addition, this diversity-based algorithm is computationally efficient, and its performance compares favorably to most existing blind algorithms. 相似文献
26.
优化项目管理MIS系统方案设计 总被引:2,自引:0,他引:2
按照工程项目“五制”管理的要求 ,以规范管理和提升工程质量为系统开发的基础和前提 ,探索适合本行业使用的项目MIS系统设计方案 ,并对其功能模型、数据规划、构造处理模型、数学模型进行分析 相似文献
27.
索风营水电站大坝为碾压混凝土重力坝,最大坝高115.8 m,因受F1和F13等区域性断层影响,坝基岩体弱风化较深,相应坝基挖深较大。为此,施工期通过地质分析与物探测试工作,对坝基进行了优化,使坝基总体少挖了6~8 m深,取得了较为成功的效果。本文在介绍了索风营水电站坝基优化中的地质认识之外,并对坝基存在的主要工程地质问题及工程处理进行了分析、总结。 相似文献
28.
Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献
29.
基于子波变换的涡街流量传感器信号分析 总被引:6,自引:0,他引:6
长期以来 ,如何提取潜在噪声下的涡街流量信号一直是个问题。流体流速脉动 ,局部阻力 ,随机振动———所有这些因素都给解决这一问题带来难度。文章应用子波变换消噪理论 ,从软件滤波的角度分析了强噪声干扰下的涡街流量信号 ,并提出了单支重构计数方法。分析结果表明 ,这种方法对低流速流量计量效果很好 ,能够有效地扩展量程下限 相似文献
30.
Y.K. Su H.C. Wang C.L. Lin W.B. Chen S.M. Chen 《Photonics Technology Letters, IEEE》2003,15(10):1345-1347
The brightness of AlGaInP light emitting diodes (LEDs) has been raised by a factor of 1.12 at 20 mA by sulfide passivation. Meanwhile, the sulfide also can decrease leakage current of AlGaInP LEDs at -2 V to nearly one thousandth of that in the as-fabricated device. The possible causes for the brightness increase of AlGaInP LEDs after sulfide treatment including surface roughness, reduction of Fresnel loss, and effective injection of carriers were demonstrated. 相似文献